يعرض 1 - 10 نتائج من 39 نتيجة بحث عن '"Janousek, B.K."', وقت الاستعلام: 1.04s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Neutron and proton irradiation for latchup suppression in a radiation-tolerant commercial submicron CMOS process

    المؤلفون: Lacoe, R.C., Moss, S.C., Osborn, J.V., Janousek, B.K., LaLumondiere, S.D., Brown, S., Mayer, D.C.

    المصدر: 1999 Fifth European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems. RADECS 99 (Cat. No.99TH8471) Radiation and its effects on components and systems Radiation and Its Effects on Components and Systems, 1999. RADECS 99. 1999 Fifth European Conference on. :340-345 1999

    Relation: 1999 Fifth European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems. RADECS 99

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Can GaAs ICs achieve Si VLSI reliability?

    المؤلفون: MacWilliams, K.P., Janousek, B.K.

    المصدر: GaAs IC Symposium Technical Digest 1992 Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1992. Technical Digest 1992., 14th Annual IEEE. :149-152 1992

    Relation: 1992 GaAs IC Symposium Technical Digest

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Characteristics of GaAs buffered FET logic (BFL) MESFETs and inverters exposed to high-energy neutrons

    المؤلفون: Rosenbluth, M., Bloss, W.L., Yamada, W.E., Janousek, B.K.

    المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 38(1):20-24 Feb, 1991

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Characteristics of GaAs heterojunction FETs (HFETs) and source follower FET logic (SFFL) inverters exposed to high energy neutrons

    المؤلفون: Janousek, B.K., Krantz, R.J., Bloss, W.L., Yamada, W.E., Brown, S., Remke, R.L., Witmer, S.

    المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 36(6):2223-2228 Dec, 1989

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Characteristics of GaAs DCFL MESFET's and inverters exposed to high-energy neutrons

    المؤلفون: Bloss, W.L., Yamada, W.E., Rosenbluth, M.L., Janousek, B.K.

    المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 36(6):2443-2449 Dec, 1989

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Neutron radiation effects in GaAs junction field effect transistors

    المؤلفون: Janousek, B.K., Yamada, W.E., Bloss, W.L.

    المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 35(6):1480-1486 Dec, 1988

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Characteristics of GaAs MESFET inverters exposed to high energy neutrons

    المؤلفون: Bloss, W.L., Yamada, W.E., Young, A.M., Janousek, B.K.

    المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 35(5):1074-1079 Oct, 1988

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    مؤتمر
    Neutron and proton irradiation for latchup suppression in a radiation-tolerant commercial submicron CMOS process.

    المؤلفون: Lacoe, R.C., Moss, S.C., Osborn, J.V., Janousek, B.K., LaLumondiere, S.D., Brown, S., Mayer, D.C.

    المصدر: 1999 Fifth European Conference on Radiation & Its Effects on Components & Systems RADECS 99 (Cat No99TH8471); 2000, p340-345, 6p

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View record in Scopus
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View record in Scopus
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء