يعرض 1 - 10 نتائج من 55 نتيجة بحث عن '"Ji, Shiyang"', وقت الاستعلام: 1.46s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Comparative Study of Performance of SiC SJ-MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth

    المؤلفون: Sometani, Mitsuru, Oozono, Kunihide, Ji, Shiyang, Morimoto, Tadao, Kato, Tomohisa, Kojima, Kazutoshi, Harada, Shinsuke

    المصدر: 2022 IEEE 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2022 IEEE 34th International Symposium on. :337-340 May, 2022

    Relation: 2022 IEEE 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Effect of the column design and fabrication method on the reverse recovery characteristics of 1.2 kV SiC-superjunction-MOSFETs

    المؤلفون: Tawara, Takeshi, Takenaka, Kensuke, Narita, Syunki, Sometani, Mitsuru, Oozono, Kunihide, Ji, Shiyang, Morimoto, Tadao, Harada, Shinsuke

    المصدر: In Materials Science in Semiconductor Processing 15 June 2024 176

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    مؤتمر
    Breaking the Theoretical Limit of 6.5 kV-Class 4H-SiC Super-Junction (SJ) MOSFETs by Trench-Filling Epitaxial Growth

    المؤلفون: Kosugi, Ryoji, Ji, Shiyang, Mochizuki, Kazuhiro, Adachi, Kohei, Segawa, Satoshi, Kawada, Yasuyuki, Yonezawa, Yoshiyuki, Okumura, Hajime

    المصدر: 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2019 31st International Symposium on. :39-42 May, 2019

    Relation: 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Negative Hall coefficient in band conduction region in heavily Al-doped 4H-SiC.

    المؤلفون: Matsuura, Hideharu, Hidaka, Atsuki, Ji, Shiyang, Eto, Kazuma, Ishida, Yuuki, Yoshida, Sadafumi

    المصدر: Journal of Applied Physics; 9/21/2023, Vol. 134 Issue 11, p1-10, 10p

    مصطلحات موضوعية: CONDUCTION bands, HOPPING conduction, VALENCE bands, WAVE functions, EXCITED states

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    مؤتمر
    Analysis of trench-filling epitaxial growth of 4H-SiC based on continuous fluid approximation including Gibbs-Thomson effect

    المؤلفون: Mochizuki, Kazuhiro, Ji, Shiyang, Kosugi, Ryoji, Kojima, Kazutoshi, Yonezawa, Yoshiyuki, Okumura, Hajime

    المصدر: 2016 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM) Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM), European Conference on. :1-1 Sep, 2016

    Relation: 2016 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Fast-filling of 4H-SiC trenches at 10 μm/h by enhancing partial pressures of source species in chemical vapor deposition processes

    المؤلفون: Ji, Shiyang, Kosugi, Ryoji, Kojima, Kazutoshi, Adachi, Kohei, Kawada, Yasuyuki, Mochizuki, Kazuhiro, Yonezawa, Yoshiyuki, Yoshida, Sadafumi, Okumura, Hajime

    المصدر: In Journal of Crystal Growth 15 September 2020 546

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء