يعرض 1 - 10 نتائج من 16 نتيجة بحث عن '"Jo, Hyungjun"', وقت الاستعلام: 1.37s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Compact Model of Read Disturbance by Hot Carrier Injection in 3D NAND Flash Memory

    المؤلفون: Park, Jaeyeol, Son, Dokyun, Kim, Minsoo, Jo, Hyungjun, Shin, Hyungcheol

    المصدر: 2020 4th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2020 4th IEEE. :1-4 Apr, 2020

    Relation: 2020 4th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Extraction of Mobility in 3-D NAND Flash Memory with Poly-Si Based Macaroni Structure

    المؤلفون: Jo, Hyungjun, Kim, Juhyun, Kim, Minsoo, Shin, Hyungcheol

    المصدر: 2020 4th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2020 4th IEEE. :1-4 Apr, 2020

    Relation: 2020 4th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    مؤتمر
    New Read Schemes to Reduce Read Disturbance Due to HCI in Full Boosting Channel 3-D NAND Flash Memories

    المؤلفون: Jo, Hyungjun, Shin, Hyungcheol

    المصدر: 2021 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2021. :1-2 Jun, 2021

    Relation: 2021 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية
    An Innovative Program Scheme for Reducing Z-Interference in Charge-Trap-Based 3-D NAND Flash Memory

    المؤلفون: Ahn, Sangmin, Jo, Hyungjun, Kim, Sungju, Park, Sechun, Lim, Kyunam, Kim, Jongwoo, Shin, Hyungcheol

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; December 2023, Vol. 70 Issue: 12 p6695-6698, 4p

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء