يعرض 1 - 10 نتائج من 21 نتيجة بحث عن '"Joglekar, Sameer"', وقت الاستعلام: 0.87s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    mmWave and sub-THz Technology Development in Intel 22nm FinFET (22FFL) Process

    المؤلفون: Yu, Qiang, Rami, Said, Waldemer, James, Ma, Yunzhe, Neeli, Vijaya, Garrett, Jeffrey, Liu, Guannan, Koo, Jabeom, Marulanda, Mauricio, Morarka, Saurabh, Ravikumar, Surej, Yeh, Yi-Shin, Chou, Jessica, Brown, Thomas, Rane, Triveni, Nieva, Carlos, Ali, Dyan, Joglekar, Sameer, Armstrong, Mark, Wahl, Jeremy, Paulson, Leif, Dogiamis, Georgios, Monroe, Nathan, Han, Ruonan, Lee, Hyung-Jin, Fu, Hui, Sell, Bernhard, Karl, Eric, Zhang, Ying

    المصدر: 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2020 IEEE International. :17.4.1-17.4.4 Dec, 2020

    Relation: 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Native and process induced defects in GaN films grown on Si substrates probed using a monoenergetic positron beam

    المؤلفون: Uedono, Akira, Fujishima, Tatsuya, Cao, Yu, Joglekar, Sameer, Piedra, Daniel, Lee, Hyung-Seok, Zhang, Yuhao, Zhang, Yang, Yoshihara, Nakaaki, Ishibashi, Shoji, Sumiya, Masatomo, Laboutin, Oleg, Johnson, Wayne, Palacios, Tomas

    المصدر: 2014 International Workshop on Junction Technology (IWJT) Junction Technology (IWJT), 2014 International Workshop on. :1-5 May, 2014

    Relation: 2014 14th International Workshop on Junction Technology (IWJT)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    مؤتمر
    Large signal linearity enhancement of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by device-level Vt engineering for transconductance compensation

    المؤلفون: Joglekar, Sameer, Radhakrishna, Ujwal, Piedra, Daniel, Antoniadis, Dimitri, Palacios, Tomas

    المصدر: 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2017 IEEE International. :25.3.1-25.3.4 Dec, 2017

    Relation: 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    مؤتمر
    High threshold voltage in GaN MOS-HEMTs modulated by fluorine plasma and gate oxide

    المؤلفون: Zhang, Yuhao, Sun, Min, Joglekar, Sameer J., Palacios, Tomas

    المصدر: 71st Device Research Conference Device Research Conference (DRC), 2013 71st Annual. :141-142 Jun, 2013

    Relation: 2013 71st Annual Device Research Conference (DRC)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Reactive sputtering of III-N materials for applications in electronic devices

    المؤلفون: Joglekar, SameerAff1, Aff2, Azize, Mohamed, Palacios, Tomás

    المصدر: MRS Advances. 1(2):141-146

    Find this article in full text from Springer Verlag.
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Subthreshold swing improvement in MoS2 transistors by the negative-capacitance effect in a ferroelectric Al-doped-HfO2/HfO2 gate dielectric stack.

    المؤلفون: Nourbakhsh, Amirhasan, Zubair, Ahmad, Joglekar, Sameer, Dresselhaus, Mildred, Palacios, Tomás

    المصدر: Nanoscale; 5/14/2017, Vol. 9 Issue 18, p6122-6127, 6p

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء