-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Jun-Sik Yoon, Jinsu Jeong, Seunghwan Lee, Junjong Lee, Sanguk Lee, Jaewan Lim, Rock-Hyun Baek
المصدر: IEEE Access, Vol 10, Pp 22032-22037 (2022)
مصطلحات موضوعية: Grain boundary, nanosheet, doping, stress, DC performance, short-channel effect, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Junjong Lee, Jun-Sik Yoon, Jinsu Jeong, Seunghwan Lee, Sanguk Lee, Rock-Hyun Baek
المصدر: IEEE Access, Vol 9, Pp 138192-138199 (2021)
مصطلحات موضوعية: Monolithic 3D (M3D), gate bottom contact (GBC), source/drain bottom contact (SDBC), 6T-SRAM, power performance and area (PPA), 3D-TCAD, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Sanguk Lee, Jinsu Jeong, Bohyeon Kang, Seunghwan Lee, Junjong Lee, Jaewan Lim, Hyeonjun Hwang, Sungmin Ahn, Rockhyun Baek
المصدر: Nanomaterials, Vol 13, Iss 5, p 868 (2023)
مصطلحات موضوعية: nanosheet FET, laser-spike annealing, rapid thermal annealing, lateral diffusion, strain engineering, 3D ICs, Chemistry, QD1-999
وصف الملف: electronic resource
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Sanguk Lee, Jinsu Jeong, Jun-Sik Yoon, Seunghwan Lee, Junjong Lee, Jaewan Lim, Rock-Hyun Baek
المصدر: Nanomaterials, Vol 12, Iss 19, p 3349 (2022)
مصطلحات موضوعية: nanosheet FET, inner spacer, inner spacer thickness variation, performance sensitivity, source/drain recess depth, TCAD simulation, Chemistry, QD1-999
وصف الملف: electronic resource
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Jun-Sik Yoon, Seunghwan Lee, Junjong Lee, Jinsu Jeong, Hyeok Yun, Bohyeon Kang, Rock-Hyun Baek
المصدر: IEEE Access, Vol 7, Pp 172290-172295 (2019)
مصطلحات موضوعية: 5-nm node, source/drain patterning, FinFETs, longitudinal channel stress, ring oscillator, performance-power-area, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
6دورية أكاديمية
المؤلفون: Seunghwan Lee, Jun-Sik Yoon, Junjong Lee, Jinsu Jeong, Hyeok Yun, Jaewan Lim, Sanguk Lee, Rock-Hyun Baek
المصدر: Nanomaterials, Vol 12, Iss 10, p 1721 (2022)
مصطلحات موضوعية: variability modeling, threshold voltage, SNWFET, ultrashort gate-length, Pelgrom’s law, nanowire diameter, Chemistry, QD1-999
وصف الملف: electronic resource
-
7
المؤلفون: Junjong Lee, Seongjae Heo, Hyunsang Hwang, Rock-Hyun Baek
المصدر: IEEE Electron Device Letters. 44:368-371
-
8
المؤلفون: Junjong Lee, Jun-Sik Yoon, Jaewan Lim, Rock-Hyun Baek
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. 69:7096-7101
-
9
المؤلفون: Jaewan Lim, Jinsu Jeong, Junjong Lee, Seunghwan Lee, Sanguk Lee, Rock-Hyun Baek
المصدر: 2023 7th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM).
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b44f3b5596050762864df3ef1b158a39
https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10103113 -
10
المؤلفون: Sanguk Lee, Jinsu Jeong, Jun-Sik Yoon, Seunghwan Lee Baek, Junjong Lee, Jaewan Lim, Rock-Hyun Baek
المصدر: 2023 7th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM).
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a591f95ad130e6f71289aa0cdbda1e3c
https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10103062