-
1دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
2
المؤلفون: M. Snelgrove, C. McFeely, G. Hughes, C. Weiland, J.C. Woicik, K. Shiel, P.G. Mani González, C. Ornelas, Ó. Solís-Canto, K. Cherkaoui, P.K. Hurley, P. Yadav, M.A. Morris, E. McGlynn, R. O'Connor
المصدر: Snelgrove, Matthew ORCID: 0000-0003-0344-1146 <https://orcid.org/0000-0003-0344-1146>, McFeely, Caitlin ORCID: 0000-0002-0447-8250 <https://orcid.org/0000-0002-0447-8250>, Hughes, Greg ORCID: 0000-0003-1310-8961 <https://orcid.org/0000-0003-1310-8961>, Weiland, C., Woicik, J.C., Shiel, Kyle, Mani González, Pierre Giovanni ORCID: 0000-0001-6993-2349 <https://orcid.org/0000-0001-6993-2349>, Ornelas, Carlos ORCID: 0000-0002-4229-3038 <https://orcid.org/0000-0002-4229-3038>, Solís-Canto, Óscar ORCID: 0000-0002-6972-0714 <https://orcid.org/0000-0002-6972-0714>, Cherkaoui, Karim ORCID: 0000-0002-7062-5570 <https://orcid.org/0000-0002-7062-5570>, Hurley, Paul K. ORCID: 0000-0001-5137-721X <https://orcid.org/0000-0001-5137-721X>, Yadav, Pravind ORCID: 0000-0002-7267-9142 <https://orcid.org/0000-0002-7267-9142>, Morris, Michael A. ORCID: 0000-0001-8756-4068 <https://orcid.org/0000-0001-8756-4068>, McGlynn, Enda ORCID: 0000-0002-3412-9035 <https://orcid.org/0000-0002-3412-9035> and O'Connor, Robert ORCID: 0000-0001-5794-6188 <https://orcid.org/0000-0001-5794-6188> (2022) Growth chemistry and electrical performance of ultrathin alumina formed by area selective vapor phase infiltration. Microelectronic Engineering, 266 . ISSN 0167-9317
مصطلحات موضوعية: Area selective deposition, Vapor phase infiltration, Polymer, High-k dielectric, Poly(2-vinylpyridine), Atomic layer deposition, Semiconductors, Nanotechnology, Electrical and Electronic Engineering, Condensed Matter Physics, Materials, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Spectrum analysis, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials
وصف الملف: application/pdf
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9a0933663cf2551a9776bda73788802c
http://doras.dcu.ie/27870/ -
3دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
4دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
5دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
6دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
7
المؤلفون: Robert M. Wallace, K. Cherkaoui, Chadwin D. Young, Gioele Mirabelli, Scott Monaghan, Pavel Bolshakov, Enrico Caruso, V. Balestra, Peng Zhao, Ray Duffy, Emma M. Coleman, Farzan Gity, Paul K. Hurley
المصدر: Solid-State Electronics. 186:108123
مصطلحات موضوعية: Tunnel FET, Oxide, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Capacitance, Metal, MOSFET, chemistry.chemical_compound, 0103 physical sciences, Materials Chemistry, Oxide traps, Electrical and Electronic Engineering, 010302 applied physics, business.industry, Doping, Conductance, Interface states, MoS2/oxide/Si system, P type silicon, 2D materials, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Exfoliation joint, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Semiconductor, chemistry, visual_art, visual_art.visual_art_medium, Optoelectronics, 0210 nano-technology, business
وصف الملف: application/pdf
-
8دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
9
المؤلفون: E. Caruso, J. Lin, K. F. Burke, K. Cherkaoui, D. Esseni, F. Gity, S. Monaghan, P. Palestri, P. Hurley, L. Selmi
المصدر: 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)
مصطلحات موضوعية: III-V semiconductors, C-V, Capacitance, Parameter extraction, Dielectric measurement, Gallium arsenide, TCAD simulations, Mathematical model, Border traps, Indium compounds, Technology CAD, MOSCAP, Analytical models, Condensed Matter::Quantum Gases, MOS capacitors, Capacitance-voltage curves, Multifrequency CV-curves, Border trap profiling, Capacitance-voltage characteristics, Interface states, Density of states, TCAD simulation, Dispersion, Al2O3/InGaAs stacks, Oxide capacitance, Hole traps, Dielectrics, Electron traps, III-V compounds, Sensitivity analysis, Trap volume
وصف الملف: application/pdf
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::fa4ecbb5d902b15fea05cd9f6db99463
https://hdl.handle.net/11380/1163211
-
10دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.
