-
1
المؤلفون: C. Fenouillet-Beranger, J. Todeschini, J.C. Le-Denmat, N. Loubet, C. Gallon, P. Perreau, S. Manakli, B. Minghetti, L. Pain, V. Arnal, A. Vandooren, S. Denorme, D. Aime, L. Tosti, C. Savardi, M. Broekaart, P. Gouraud, F. Leverd, V. Dejonghe, P. Brun, M. Guillermet, M. Aminpur, B. Icard, S. Barnola, F. Rouppert, F. Martin, T. Salvetat, S. Lhostis, C. Laviron, N. Auriac, T. Kormann, G. Chabanne, S. Gaillard, F. Boeuf, O. Belmont, E. Laffosse, D. Barge, A. Zauner, A. Tarnowka, K. Romanjec, H. Brut, A. Lagha, S. Bonnetier, F. Joly, J. Coignus, N. Mayet, A. Cathignol, D. Galpin, D. Pop, R. Delsol, R. Pantel, F. Pionnier, G. Thomas, D. Bensahel, S. Deleonibus, O. Faynot, T. Skotnicki, H. Mingam, L. Brevard, C. Buj, C. Soonekindt
المصدر: 2007 IEEE International Electron Devices Meeting.
مصطلحات موضوعية: Materials science, business.industry, Transistor, Electrical engineering, Silicon on insulator, law.invention, PMOS logic, law, Optoelectronics, Static random-access memory, Power MOSFET, Metal gate, business, NMOS logic, High-κ dielectric
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9b01d356319804f33639c8bbcd010bbb
https://doi.org/10.1109/iedm.2007.4418919 -
2مؤتمر
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.