-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Vardi, A., Tordjman, M., Kalish, R., Alamo, J.A.d.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(6):3334-3340 Jun, 2022
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Vardi, A., Tordjman, M., Kalish, R., Alamo, J.A.d.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 67(9):3516-3521 Sep, 2020
-
3تقرير
المؤلفون: Bayn, I., Mouradian, S., Li, L., Goldstein, J. A., Schröder, T., Zhang, J., Chen, E. H., Gaathon, O., Lu, M., Stein, A., Ruggiero, C. A., Salzman, J., Kalish, R., Englund, D.
مصطلحات موضوعية: Physics - Optics
URL الوصول: http://arxiv.org/abs/1411.3639
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Yin, Z., Tordjman, M., Vardi, A., Kalish, R., del Alamo, J.A.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 39(4):540-543 Apr, 2018
-
5مؤتمر
المؤلفون: Kalish, R., Richter, V., Fizgeer, B., Koenigsfeld, N., Avigal, Y., Hoffman, A., Cheifetz, E., Hoxley, D.
المصدر: 3rd International Conference 'Novel Applications of Wide Bandgap Layers' Abstract Book (Cat. No.01EX500) Wide bandgap layers applications Wide Bandgap Layers, 2001. Abstract Book. 3rd International Conference on Novel Applications of. :45-47 2001
Relation: 3rd International Conference 'Novel Applications of Wide Bandgap Layers'
-
6مؤتمر
المؤلفون: Chevallier, J., Pinault, M. -A., Barjon, J., Kociniewski, T., Jomard, F., Saguy, C., Kalish, R.
المصدر: 2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices Physics of Semiconductor Devices, 2007. IWPSD 2007. International Workshop on. :813-818 Dec, 2007
Relation: 2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices
-
7تقرير
المؤلفون: Sorkin, A., Adler, Joan, Kalish, R.
مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Disordered Systems and Neural Networks
URL الوصول: http://arxiv.org/abs/cond-mat/0307415
-
8دورية أكاديمية
المؤلفون: Vardi, A., Tordjman, M., del Alamo, J.A., Kalish, R.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 35(12):1320-1322 Dec, 2014
-
9كتاب إلكتروني
المؤلفون: Adler, J.Aff2, Gershon, Y.Aff2, Mutat, T.Aff2, Sorkin, A.Aff2, Warszawski, E.Aff2, Kalish, R.Aff2, Yaish, Y.Aff2
المساهمون: Landau, D. P., editorAff1, Lewis, S. P., editorAff1, Schöttler, H. B., editorAff1
المصدر: Computer Simulation Studies in Condensed-Matter Physics XIX : Proceedings of the NineteenthWorkshop Athens, GA, USA, February 20–24, 2006. 123:56-60
Degree: Ph.D.
-
10دورية أكاديمية
المؤلفون: Saavedra, M. A., Villaseñor-Ovies, P., Harfush, L. A., Navarro-Zarza, J. E., Canoso, J. J., Cruz-Domínguez, P., Vargas, A., Hernández-Díaz, C., Chiapas-Gasca, K., Camacho-Galindo, J., Alvarez-Nemegyei, J., Kalish, R. A.
المصدر: Clinical Rheumatology: Journal of the International League of Associations for Rheumatology. May 2016 35(5):1299-1306