يعرض 1 - 10 نتائج من 26 نتيجة بحث عن '"Kang, Jiyang"', وقت الاستعلام: 1.06s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    First Demonstration of Top-Gate Indium-Tin-Oxide RF Transistors with Record High Cut-off Frequency of 48 GHz, Id of 2.32 mA/μm and gm of 900 μS/μm on SiC Substrate with Superior Reliability at 85 °C

    المؤلفون: Hu, Qianlan, Gu, Chengru, Liu, Shiyuan, Zeng, Min, Zhu, Shenwu, Kang, Jiyang, Liu, Ranhui, Zhao, Wenjie, Tong, Anyu, Li, Qijun, Fu, Tianyue, Huang, Ru, Wu, Yanqing

    المصدر: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2023 International. :1-4 Dec, 2023

    Relation: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Research Locating and Sizing Method of Flexible Closed-loop Device Network Controller Based on Entropy Weight Ideal Solution

    المؤلفون: Wang, Yanan, Zhang, Wei, Xie, Linwei, Kang, Jiyang, Liu, Jiaxing, Sui, Dongpeng

    المصدر: 2018 China International Conference on Electricity Distribution (CICED) Electricity Distribution (CICED), 2018 China International Conference on. :1268-1272 Sep, 2018

    Relation: 2018 China International Conference on Electricity Distribution (CICED)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    1/f noise of short-channel indium tin oxide transistors under stress.

    المؤلفون: Gu, Chengru, Hu, Qianlan, Li, Qijun, Zhu, Shenwu, Kang, Jiyang, Wu, Yanqing

    المصدر: Applied Physics Letters; 6/19/2023, Vol. 122 Issue 25, p1-4, 4p

    مصطلحات موضوعية: PINK noise, INDIUM tin oxide, DIELECTRIC breakdown, DIELECTRIC measurements, TRANSISTORS, FIELD-effect transistors, THRESHOLD voltage

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Research Progress on Electrochemical Properties of Na3V2(PO4)3 as Cathode Material for Sodium-Ion Batteries.

    المؤلفون: He, Fa, Kang, Jiyang, Liu, Tongli, Deng, Hongjie, Zhong, Benhe, Sun, Yan, Wu, Zhenguo, Guo, Xiaodong

    المصدر: Industrial & Engineering Chemistry Research; 3/1/2023, Vol. 62 Issue 8, p3444-3464, 21p

    Find this issue from the American Chemical Society
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Nonvolatile Logic and Ternary Content‐Addressable Memory Based on Complementary Black Phosphorus and Rhenium Disulfide Transistors.

    المؤلفون: Xiong, Xiong, Kang, Jiyang, Liu, Shiyuan, Tong, Anyu, Fu, Tianyue, Li, Xuefei, Huang, Ru, Wu, Yanqing

    المصدر: Advanced Materials; 12/1/2022, Vol. 34 Issue 48, p1-8, 8p

    View record at Wiley Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية
    Research Progress on Electrochemical Properties of Na3V2(PO4)3as Cathode Material for Sodium-Ion Batteries

    المؤلفون: He, Fa, Kang, Jiyang, Liu, Tongli, Deng, Hongjie, Zhong, Benhe, Sun, Yan, Wu, Zhenguo, Guo, Xiaodong

    المصدر: Industrial & Engineering Chemistry Research; March 2023, Vol. 62 Issue: 8 p3444-3464, 21p

    Find this issue from the American Chemical Society
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء