يعرض 1 - 10 نتائج من 206 نتيجة بحث عن '"Kangguo Cheng"', وقت الاستعلام: 0.85s تنقيح النتائج
  1. 1
  2. 2
    مؤتمر

    المصدر: 1999 4th International Symposium on Plasma Process-Induced Damage (IEEE Cat. No.99TH8395) Plasma process-induced damage Plasma Process-Induced Damage, 1999 4th International Symposium on. :188-191 1999

    Relation: 1999 4th International Symposium on Plasma Process-Induced Damage

  3. 3
    مؤتمر

    المصدر: 1999 4th International Symposium on Plasma Process-Induced Damage (IEEE Cat. No.99TH8395) Plasma process-induced damage Plasma Process-Induced Damage, 1999 4th International Symposium on. :65-68 1999

    Relation: 1999 4th International Symposium on Plasma Process-Induced Damage

  4. 4
    دورية أكاديمية

    المؤلفون: Kangguo Cheng, Lyding, J.W.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 24(10):655-657 Oct, 2003

  5. 5
    دورية أكاديمية

    المؤلفون: Kangguo Cheng, Lyding, J.W.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 24(7):487-489 Jul, 2003

  6. 6
    دورية أكاديمية

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 49(3):529-531 Mar, 2002

  7. 7
    دورية أكاديمية

    المؤلفون: Kangguo Cheng, Hess, K., Lyding, J.W.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 22(9):441-443 Sep, 2001

  8. 8
    دورية أكاديمية

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 48(4):813-815 Apr, 2001

  9. 9
    دورية أكاديمية
  10. 10
    دورية أكاديمية

    المؤلفون: Kangguo Cheng, Lyding, J.W.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 24(11):710-710 Nov, 2003