يعرض 1 - 10 نتائج من 2,688 نتيجة بحث عن '"Kimoto, T."', وقت الاستعلام: 1.64s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces

    المؤلفون: Mikami, K., Kaneko, M., Kimoto, T.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 45(7):1113-1116 Jul, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Insight Into Mobility Improvement by the Oxidation-Minimizing Process in SiC MOSFETs

    المؤلفون: Mikami, K., Tachiki, K., Kaneko, M., Kimoto, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(1):931-934 Jan, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Nearly Ideal Breakdown Voltage Observed in Lateral p-i-n Diodes Fabricated on a SiC High-Purity Semi-Insulating Substrate

    المؤلفون: Kaneko, M., Tsibizov, A., Kimoto, T., Grossner, U.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(4):2153-2156 Apr, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    مؤتمر
    Experimental demonstration, challenges, and prospects of the vertical SiC FinFET

    المؤلفون: Udrea, F., Naydenov, K., Kang, H., Kato, T., Kagoshima, E., Fujioka, H., Tomita, H., Nishiwaki, T., Fujiwara, H., Kimoto, T.

    المصدر: 2022 IEEE 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2022 IEEE 34th International Symposium on. :253-256 May, 2022

    Relation: 2022 IEEE 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Operation at 623 K

    المؤلفون: Kaneko, M., Nakajima, M., Jin, Q., Kimoto, T.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 43(7):997-1000 Jul, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Carrier Trapping Effects on Forward Characteristics of SiC p-i-n Diodes Fabricated on High-Purity Semi-Insulating Substrates

    المؤلفون: Takahashi, K., Tanaka, H., Kaneko, M., Kimoto, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(4):1989-1994 Apr, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    مؤتمر
    The FinFET effect in Silicon Carbide MOSFETs

    المؤلفون: Udrea, F., Naydenov, K., Kang, H., Kato, T., Kagoshima, E., Nishiwaki, T., Fujiwara, H., Kimoto, T.

    المصدر: 2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2021 33rd International Symposium on. :75-78 May, 2021

    Relation: 2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Breakdown Electric Field of GaN p+-n and p-n+ Junction Diodes With Various Doping Concentrations

    المؤلفون: Maeda, T., Narita, T., Yamada, S., Kachi, T., Kimoto, T., Horita, M., Suda, J.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 43(1):96-99 Jan, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    مؤتمر
    Enhanced Performance of 50 nm Ultra-Narrow-Body Silicon Carbide MOSFETs based on FinFET effect

    المؤلفون: Kato, T., Fukuoka, Y., Kang, H., Hamada, K., Onogi, A., Fujiwara, H., Ito, T., Kimoto, T., Udrea, F.

    المصدر: 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2020 32nd International Symposium on. :62-65 Sep, 2020

    Relation: 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Improvement of Both n- and p-Channel Mobilities in 4H-SiC MOSFETs by High-Temperature N₂ Annealing

    المؤلفون: Tachiki, K., Kimoto, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 68(2):638-644 Feb, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء