المؤلفون: Jameson, J.R., Dinh, J., Gonzales, N., Hollmer, S., Hsu, S., Kim, D., Koushan, F., Lewis, D., Runnion, E., Shields, J., Tysdal, A., Wang, D., Gopinath, V.

المصدر: 2018 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2018 48th European. :58-61 Sep, 2018

Relation: ESSDERC 2018 - 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)

المؤلفون: Muller, S., Zhou, H., Benoist, A., Ocker, J., Noack, M., Kuzmanov, G., Iqbal, R., Le Minh, D., Ghazaryan, M., Anjaneyamoorthi, V., Daraghmah, A., Mennenga, M., Koushan, F., Tassan, F., Dunkel, S., Muller, J., Beyer, S., Soss, S., Pourkeramati, A.

المصدر: 2021 Symposium on VLSI Technology VLSI Technology, 2021 Symposium on. :1-2 Jun, 2021

Relation: 2021 Symposium on VLSI Technology

المؤلفون: Zhou, H., Ocker, J., Pesic, M., Padovani, A., Trentzsch, M., Dunkel, S., Muller, J., Beyer, S., Larcher, L., Koushan, F., Muller, S., Mikolajick, T.

المصدر: 2021 Symposium on VLSI Technology VLSI Technology, 2021 Symposium on. :1-2 Jun, 2021

Relation: 2021 Symposium on VLSI Technology

المؤلفون: Jameson, J. R., Gilbert, N., Koushan, F., Saenz, J., Wang, J., Hollmer, S., Kozicki, M., Derhacobian, N.

المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 33(2):257-259 Feb, 2012

المؤلفون: Jameson, J. R., Blanchard, P., Cheng, C., Dinh, J., Gallo, A., Gopalakrishnan, V., Gopalan, C., Guichet, B., Hsu, S., Kamalanathan, D., Kim, D., Koushan, F., Kwan, M., Law, K., Lewis, D., Ma, Y., McCaffrey, V., Park, S., Puthenthermadam, S., Runnion, E., Sanchez, J., Shields, J., Tsai, K., Tysdal, A., Wang, D., Williams, R., Kozicki, M. N., Wang, J., Gopinath, V., Hollmer, S., Van Buskirk, M.

المصدر: 2013 IEEE International Electron Devices Meeting Electron Devices Meeting (IEDM), 2013 IEEE International. :30.1.1-30.1.4 Dec, 2013

Relation: 2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

المؤلفون: Gopalan, C., Ma, Y., Gallo, T., Wang, J., Runnion, E., Saenz, J., Koushan, F., Blanchard, P., Hollmer, S.

المصدر: In Solid State Electronics 2011 58(1):54-61

المؤلفون: Gopalan, C., Yi Ma, Gallo, T., Wang, J., Runnion, E., Saenz, J., Koushan, F., Hollmer, S.

المصدر: 2010 IEEE International Memory Workshop (IMW); 2010, p1-4, 4p

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.