-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: R. Fontanini, J. Barbot, M. Segatto, S. Lancaster, Q. Duong, F. Driussi, L. Grenouillet, L. Triozon, J. Coignus, T. Mikolajick, S. Slesazeck, D. Esseni
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 593-599 (2022)
مصطلحات موضوعية: Ferroelectric tunnel junction, FTJ, HZO, synaptic memristor, charge trapping, interfacial charge, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: R. Alcala, M. Materano, P. D. Lomenzo, L. Grenouillet, T. Francois, J. Coignus, N. Vaxelaire, C. Carabasse, S. Chevalliez, F. Andrieu, T. Mikolajick, U. Schroeder
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 907-912 (2022)
مصطلحات موضوعية: BEOL, ferroelectric, HfO₂, reliability, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
3
المؤلفون: T. Francois, J. Coignus, A. Makosiej, B. Giraud, C. Carabasse, J. Barbot, S. Martin, N. Castellani, T. Magis, H. Grampeix, S. Van Duijn, C. Mounet, P. Chiquet, U. Schroeder, S. Slesazeck, T. Mikolajick, E. Nowak, M. Bocquet, N. Barrett, F. Andrieu, L. Grenouillet
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. 69:2108-2114
-
4
المؤلفون: L. Grenouillet, J. Barbot, J. Laguerre, S. Martin, C. Carabasse, M. Louro, M. Bedjaoui, S. Minoret, S. Kerdilès, C. Boixaderas, T. Magis, C. Jahan, F. Andrieu, J. Coignus
المصدر: 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9e8e0a386fa50f81c95c4bc7797351fd
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118099 -
5دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
6
المؤلفون: R. Alcala, P.D. Lomenzo, T. Mittmann, B. Xu, R. Guido, S. Lancaster, P. Vishnumurthy, L. Grenouillet, S. Martin, J. Coignus, T. Mikolajick, U. Schroeder
المصدر: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::47fce1bb648504e36a684cb4944aed01
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019554 -
7دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
8دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
9
المصدر: Open Repository TuDatalib 2022
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=r3c4b2081b22::22a3fb08866de6a4c517f2dabb350089
-
10
المؤلفون: N. Castellani, G. Molas, Marc Bocquet, L. Grenouillet, J-M. Portal, L. Reganaz, Etienne Nowak, T. Magis, C. Carabasse, G. Navarro, D. Deleruyelle, Mathieu Bernard, J. Minguet Lopez
المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
المصدر: 2021 IEEE International Memory Workshop (IMW)
2021 IEEE INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW)
2021 IEEE INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW), May 2021, Dresde, Germany. pp.107-110, ⟨10.1109/IMW51353.2021.9439606⟩مصطلحات موضوعية: OTS, Materials science, business.industry, High density, Threshold voltage, chalcogenide, Stack (abstract data type), Scalability, Optoelectronics, resistive RAM, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Crossbar switch, crossbar, business, Low voltage, Scaling, Voltage