المؤلفون: D. Alfaro Robayo, L. Grenouillet, N. Castellani, Mathieu Bernard, Etienne Nowak, G. Molas, J. Sandrini, C. Carabasse, L. Hudeley, D. Deleruyelle, J-M. Portal, J. Minguet Lopez, Marc Bocquet, G. Navarro

المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU), INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

المصدر: 2021 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
2021 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Mar 2021, Monterey, France. pp.1-6, ⟨10.1109/IRPS46558.2021.9405195⟩
2021 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Mar 2021, Monterey, United States. ⟨10.1109/IRPS46558.2021.9405195⟩
IRPS

مصطلحات موضوعية: 010302 applied physics, Reliability theory, OTS, Computer science, 01 natural sciences, Resistive random-access memory, chalcogenide, [SPI]Engineering Sciences [physics], Reliability (semiconductor), Stack (abstract data type), Margin (machine learning), 0103 physical sciences, Electronic engineering, Figure of merit, Crossbar switch, resistive RAM, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, crossbar, operation variability, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Voltage

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c1a5de3df36259700f72d418140f745a

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