يعرض 1 - 3 نتائج من 3 نتيجة بحث عن '"LANDSBERG, E. G."', وقت الاستعلام: 0.84s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Electron localization in a nondegenerate semiconductor with a random potential due to charged impurities

    المؤلفون: Zhdanova, N. G., Kagan, M. S., Landsberg, E. G.

    المصدر: Journal of Experimental and Theoretical Physics. April 2000 90(4):662-670

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    FIELD IONIZATION OF SHALLOW IMPURITIES AT RANDOM POTENTIAL.

    المؤلفون: KAGAN, M. S., LANDSBERG, E. G., PETRISHCHEV, V. V., ZHDANOVA, N. G.

    المصدر: Shallow-Level Centers in Semiconductors - Proceedings of the 7th International Conference; 1997, p417-422, 6p

    مصطلحات موضوعية: SEMICONDUCTOR doping, GERMANIUM, SEMICONDUCTOR defects, IONIZATION (Atomic physics), ELECTRIC properties of semiconductors

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Recombination Mechanisms.

    المؤلفون: Bonch-Bruevich, V. L., Landsberg, E. G.

    المصدر: Physica Status Solidi (B); 1968, Vol. 29 Issue 1, p9-43, 35p

    View record at Wiley Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء