يعرض 1 - 7 نتائج من 7 نتيجة بحث عن '"Laura Toselli"', وقت الاستعلام: 1.13s تنقيح النتائج
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    المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), ANR-13-NANO-0001,MOSINAS,MOSFET à hétérostructure et film ultra mince d'InAs sur substrat silicium(2013), ANR-10-EQPX-0030,FDSOI11,Plateforme FDSOI pour le node 11nm(2010), ANR: ANR-10-AIRT-05,Programme Investissements d’Avenir, ANR-10-AIRT-0005,NANOELEC,NANOELEC(2010)

    المصدر: Microelectronic Engineering
    Microelectronic Engineering, Elsevier, 2016, 156, pp.91-96. ⟨10.1016/j.mee.2015.11.013⟩
    Microelectronic Engineering, 2016, 156, pp.91-96. ⟨10.1016/j.mee.2015.11.013⟩

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    المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), ANR-13-NANO-0001,MOSINAS,MOSFET à hétérostructure et film ultra mince d'InAs sur substrat silicium(2013), ANR-10-EQPX-0030,FDSOI11,Plateforme FDSOI pour le node 11nm(2010), ANR-10-AIRT-0005,NANOELEC,NANOELEC(2010), ANR: ANR-10-AIRT-05,Programme Investissements d’Avenir

    المصدر: 15th International Workshop on Junction Technology (IWJT)
    15th International Workshop on Junction Technology (IWJT), Jun 2015, Kyoto, Japan. pp.54-57, ⟨10.1109/IWJT.2015.7467095⟩

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    المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), ANR-13-NANO-0001,MOSINAS,MOSFET à hétérostructure et film ultra mince d'InAs sur substrat silicium(2013), ANR-10-EQPX-0030,FDSOI11,Plateforme FDSOI pour le node 11nm(2010)

    المصدر: 2015 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2015 IEEE Materials for Advanced Metallization Conference (IITC/MAM)
    2015 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2015 IEEE Materials for Advanced Metallization Conference (IITC/MAM), May 2015, Grenoble, France. pp.107-110, ⟨10.1109/IITC-MAM.2015.7325643⟩

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    المساهمون: Ceciliani Andrea, Masini Alice, Marini Sofia, Coco Daniele, Bragonzoni Laura, Toselli Stefania, Liberti Maurizio, Astorino Gerardo, Dallolio Laura, Ceciliani, Andrea, Masini, Alice, Marini, Sofia, Coco, Daniele, Bragonzoni, Laura, Toselli, Stefania, Liberti, Maurizio, Astorino, Gerardo, Dallolio, Laura

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