يعرض 1 - 1 نتائج من 1 نتيجة بحث عن '"Lentzsch, Tobias"', وقت الاستعلام: 0.95s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Determination of the Junction Temperature Under Load Current in GaN Power Devices with Schottky Gate Leakage Current as TSEP

    المؤلفون: Goller, Maximilian, Franke, Jorg, Lentzsch, Tobias, Lutz, Josef, Basler, Thomas, Mouhoubi, Samir, Curatola, Gilberto

    المصدر: 2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2024 36th International Symposium on. :498-501 Jun, 2024

    Relation: 2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء