-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Lam, N., Leung, B. H.
المصدر: IEEE Journal of Solid-State Circuits IEEE J. Solid-State Circuits Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 45(2):322-337 Feb, 2010
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Leung, B. H., Mcleish, D.
المصدر: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers IEEE Trans. Circuits Syst. I Circuits and Systems I: Regular Papers, IEEE Transactions on. 56(8):1689-1707 Aug, 2009
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Fong, W.K., Zhu, C. F., Leung, B. H., Surya, Charles
المصدر: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. 5(1)
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Zhu, C. F., Fong, W. K., Leung, B. H., Cheng, C. C., Surya, C.
المصدر: MRS Online Proceedings Library. 622(1)
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Zhu, C. F., Fong, W. K., Leung, B. H., Cheng, C. C., Surya, C., Sundaravel, B., Luo, E. Z., Xu, J. B., Wilson, I. H.
المصدر: MRS Online Proceedings Library. 618(1)
-
6دورية أكاديمية
المؤلفون: Fong, W. K., Ng, S. W., Leung, B. H., Surya, Charles
المصدر: Journal of Applied Physics; 7/1/2003, Vol. 94 Issue 1, p387, 5p, 5 Graphs
مصطلحات موضوعية: MULTILAYERED thin films, GALLIUM nitride, SILICON, ELECTRON mobility, SEMICONDUCTORS
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Leung, B. H., Fong, W. K., Zhu, C. F., Surya, Charles
المصدر: Journal of Applied Physics; 3/15/2002, Vol. 91 Issue 6, p3706, 5p, 4 Graphs
مصطلحات موضوعية: GALLIUM nitride, MOLECULAR beam epitaxy
-
8مؤتمر
المؤلفون: LEUNG, B. H., FONG, W. K., ZHU, C. F., SURYA, C.
المصدر: Noise in Physical Systems & 1/F Fluctuations: Icnf 2001, Procs of the 16th Intl Conf; 2001, p63-68, 6p
مصطلحات موضوعية: GALLIUM nitride, CURRENT noise (Electricity), SUPERCONDUCTIVITY, MAGNETIC superconductors, THIN films
-
9دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
10دورية أكاديمية
المؤلفون: Chan, C. P., Leung, B. H., Loke, Y. H., Man, H. C., Yue, T. M., Xiu, X., Zhang, R., Surya, C., Celik-Butler, Zeynep
المصدر: Fluctuation & Noise Letters; Sep2004, Vol. 4 Issue 3, pL437-L445, 9p, 1 Diagram, 9 Graphs
مصطلحات موضوعية: NOISE, THIN films, LASERS, INTERFACES (Physical sciences), METAL semiconductor field-effect transistors