يعرض 1 - 10 نتائج من 36 نتيجة بحث عن '"Loesing, R."', وقت الاستعلام: 1.05s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Fully depleted extremely thin SOI technology fabricated by a novel integration scheme featuring implant-free, zero-silicon-loss, and faceted raised source/drain

    المؤلفون: Cheng, K., Khakifirooz, A., Kulkarni, P., Kanakasabapathy, S., Schmitz, S., Reznicek, A., Adam, T., Zhu, Y., Li, J., Faltermeier, J., Furukawa, T., Edge, L. F., Haran, B., Seo, S.-C., Jamison, P., Holt, J., Li, X., Loesing, R., Zhu, Z., Johnson, R., Upham, A., Levin, T., Smalley, M., Herman, J., Di, M., Wang, J., Sadana, D., Kozlowski, P., Bu, H., Doris, B., O'Neill, J.

    المصدر: 2009 Symposium on VLSI Technology VLSI Technology, 2009 Symposium on. :212-213 Jun, 2009

    Relation: 2009 Symposium on VLSI Technology

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    High-κ/metal gate low power bulk technology - Performance evaluation of standard CMOS logic circuits, microprocessor critical path replicas, and SRAM for 45nm and beyond

    المؤلفون: Park, D.-G., Stein, K., Schruefer, K., Lee, Y., Han, J.-P., Li, W., Yin, H., Pacha, C., Kim, N., Ostermayr, M., Eller, M., Kim, S., Kim, K., Han, S., von Arnim, K., Moumen, N., Hatzistergos, M., Tang, T., Loesing, R., Chen, X., Jaeger, D., Zhuang, H., Chen, J., Yan, W., Kanarsky, T., Chowdhury, M., Haetty, Jens, Schepis, D., Chudzik, M., Theon, V.-Y., Samavedam, S., Narayanan, V., Sherony, M., Lindsay, R., Steegen, A., Divakaruni, R., Khare, M.

    المصدر: 2009 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications VLSI Technology, Systems, and Applications, 2009. VLSI-TSA '09. International Symposium on. :90-92 Apr, 2009

    Relation: 2009 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications (VLSI-TSA)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    مؤتمر
    Novel Enhanced Stressor with Graded Embedded SiGe Source/Drain for High Performance CMOS Devices

    المؤلفون: Ieong, M., Sudijono, J., Ku, J.H., Shum, D., Hierlemann, M., Amos, R., Chiulli, G., Lindsay, R., Kim, S.D., Loesing, R., Burns, L., Turansky, A., Madan, A., St Lawrence, B., Davis, R., Murphy, R., Li, J., Kim, J.J., Zhuang, H., Mishra, S., Schepis, D., Gutmann, A., Kempisty, J., Adam, T.N., Holt, J., Ng, H., Fang, S., Chong, Y.F., Stierstorfer, R., Krishnasamy, R., Luo, Z., Rovedo, N., Teo, L.W., Utomo, H., Han, J.P.

    المصدر: 2006 International Electron Devices Meeting Electron Devices Meeting, 2006. IEDM '06. International. :1-4 Dec, 2006

    Relation: 2006 International Electron Devices Meeting

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Acceptor and donor doping of AlxGa1−xN thin film alloys grown on 6H-SiC(0001) substrates via metalorganic vapor phase epitaxy

    المؤلفون: Bremser, M. D., Perry, W. G., Nam, O. H., Griffis, D. P., Loesing, R., Ricks, D. A., Davis, R. F.

    المصدر: Journal of Electronic Materials. April 1998 27(4):229-232

    Find this article in full text from Springer Verlag. Find this article in full text from ProQuest Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Sputtered depth scales of multi-layered samples with in situ laser interferometry: arsenic diffusion in Si/SiGe layers

    المؤلفون: Ronsheim, P.A., Loesing, R., Madan, A.

    المصدر: In Applied Surface Science 2004 231:762-767

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View record in Scopus
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Comparison of secondary ion mass spectroscopy analysis of ultrashallow phosphorus using Cs+, O2+, and CsC6- primary ion beams.

    المؤلفون: Loesing, R., Guryanov, G. M., Phillips, M. S., Griffis, D. P.

    المصدر: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 2002, Vol. 20 Issue 2, p507-511, 5p

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Secondary ion mass spectrometry depth profiling of ultrashallow phosphorous in silicon.

    المؤلفون: Loesing, R., Guryanov, G. M., Hunter, J. L., Griffis, D. P.

    المصدر: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 2000, Vol. 18 Issue 1, p509-513, 5p

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Acceptor and donor doping of AlxGa1−xN thin film alloys grown on 6H-SiC(0001) substrates via metalorganic vapor phase epitaxy.

    المؤلفون: Bremser, M., Perry, W., Nam, O., Griffis, D., Loesing, R., Ricks, D., Davis, R.

    المصدر: Journal of Electronic Materials; Apr1998, Vol. 27 Issue 4, p229-232, 4p

    Find this article in full text from Springer Verlag. Find this article in full text from ProQuest Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء