يعرض 1 - 10 نتائج من 244 نتيجة بحث عن '"M. Rigato"', وقت الاستعلام: 0.93s تنقيح النتائج
  1. 1
  2. 2
  3. 3
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

  4. 4

    المصدر: Micro and Nano Engineering, Vol 2, Iss, Pp 117-121 (2019)
    Micro and nano engineering Online 2 (2019): 117–121. doi:10.1016/j.mne.2018.11.002
    info:cnr-pdr/source/autori:R Cecchini, S Selmo, C Wiemer, M Fanciulli, E Rotunno, L Lazzarini, M Rigato, D Pogany, A Lugstein, M Longo/titolo:In-doped Sb nanowires grown by MOCVD for high speed phase change memories/doi:10.1016%2Fj.mne.2018.11.002/rivista:Micro and nano engineering Online/anno:2019/pagina_da:117/pagina_a:121/intervallo_pagine:117–121/volume:2

  5. 5
  6. 6
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

  7. 7
  8. 8
  9. 9

    المساهمون: Selmo, S, Cecchini, R, Cecchi, S, Wiemer, C, Fanciulli, M, Rotunno, E, Lazzarini, L, Rigato, M, Pogany, D, Lugstein, A, Longo, M

    المصدر: ResearcherID
    Applied physics letters 109 (2016): 213103. doi:10.1063/1.4968510
    info:cnr-pdr/source/autori:Selmo, S.; Cecchini, R.; Cecchi, S.; Wiemer, C.; Fanciulli, M.; Rotunno, E.; Lazzarini, L.; Rigato, M.; Pogany, A.; Lugstein, A.; Longo, M./titolo:Low power phase change memory switching of ultra-thin In3Sb1Te2 nanowires/doi:10.1063%2F1.4968510/rivista:Applied physics letters/anno:2016/pagina_da:213103/pagina_a:/intervallo_pagine:213103/volume:109

  10. 10