المؤلفون: Li, Meng-Long, Qi, Jin-Lei, Ma, Ya-Qi, Shu, Wen, Xiao, Hui-Di, Wang, Li-Jun, Yin, Peng, Guo, Hao-Yan, Vermund, Sten H., Zhou, Mai-Geng^{Aff2, IDs40779024005614_cor10}, Hu, Yi-Fei^{Aff1, Aff5, Aff6, IDs40779024005614_cor11}

المصدر: Military Medical Research. 11(1)

المؤلفون: Wang, Xian-ze, Li, Zhong-ke, Ma, Ya-qi, Zhang, Xiao-juan, Wang, Yong, Sun, Yu-chun

المصدر: 2011 International Conference on Electronics, Communications and Control (ICECC) Electronics, Communications and Control (ICECC), 2011 International Conference on. :2878-2881 Sep, 2011

Relation: 2011 International Conference on Electronics, Communications and Control (ICECC)

المؤلفون: Guo, Liang^Aff1, Ma, Ya-qi, Yao, Yao, Wu, Meng, Deng, Zi-hui, Zhu, Feng-wei, Luo, Yu-kun, Tang, Jie^Aff1

المصدر: Scientific Reports. 9(1)

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

المؤلفون: Zhang Zhao-yong, Ma Ya-qi, Yao Qi-shuang, Zheng Jian-bin, Wang Yong, Zhang Yi-ping

المصدر: 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology.

مصطلحات موضوعية: Physics, business.industry, Sram cell, Electrical engineering, Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY, Leakage power, AC power, Threshold voltage, MOSFET, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, Electronic engineering, Static random-access memory, business, Scaling, Leakage (electronics)

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9f4a8ee945f3116f6fceb57b88c70bc0
https://doi.org/10.1109/icsict.2010.5667575

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

المؤلفون: Fan, Hui Ming, Zhang, Cheng, Ma, Ya Qi, Liu, Jian An

المصدر: Advanced Materials Research; September 2013, Vol. 818 Issue: 1 p42-47, 6p