يعرض 1 - 10 نتائج من 1,859 نتيجة بحث عن '"Meneghesso, G."', وقت الاستعلام: 1.52s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Fast Characterization of Power LEDs: Circuit Design and Experimental Results

    المؤلفون: Roccato, N., Piva, F., Buffolo, M., Trivellin, N., De Santi, C., Narduzzi, C., Fraccaroli, R., Caria, A., Meneghesso, G., Zanoni, E., Meneghini, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(6):3753-3760 Jun, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Positive VTH Shift in Schottky p-GaN Gate Power HEMTs: Dependence on Temperature, Bias and Gate Leakage

    المؤلفون: Modolo, N., De Santi, C., Sicre, S., Minetto, A., Meneghesso, G., Zanoni, E., Meneghini, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 39(6):7045-7051 Jun, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    TCAD Modeling and Simulation of Dark Current-Voltage Characteristics in High-Periodicity InGaN/GaN Multiple-Quantum-Wells (MQWs) Solar Cells

    المؤلفون: Nicoletto, M., Caria, A., De Santi, C., Buffolo, M., Alasio, M.G., Mercinelli, F., Huang, X., Fu, H., Chen, H., Zhao, Y., Meneghesso, G., Zanoni, E., Meneghini, M.

    المصدر: IEEE Journal of Photovoltaics IEEE J. Photovoltaics Photovoltaics, IEEE Journal of. 14(3):450-458 May, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    مؤتمر
    Charge Trapping in SiC MOSFETs under Constant Gate Current Stress: Analysis Based on Charge Pumping Measurements

    المؤلفون: Marcuzzi, A., Avramenko, M., De Santi, C., Moens, P., Geenen, F., Meneghesso, G., Zanoni, E., Meneghini, M.

    المصدر: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2024 IEEE. :1-5 Apr, 2024

    Relation: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    مؤتمر
    $\mathrm{R}_{\text{ON}}$ and $\mathrm{V}_{\text{TH}}$ Extraction in Hard-Switched E-mode GaN HEMTs: Impact of Passivation and Layout

    المؤلفون: Favero, D., De Santi, C., Stockman, A., Nardo, A., Vanmeerbeek, P., Tack, M., Meneghesso, G., Zanoni, E., Meneghini, M.

    المصدر: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2024 IEEE. :1-4 Apr, 2024

    Relation: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    مؤتمر
    On-Wafer Dynamic Operation of Power GaN-HEMTs: Degradation Processes Investigated by a Novel Experimental Approach

    المؤلفون: Boito, M., Fregolent, M., De Santi, C., Abbisogni, A., Smerzi, S., Rossetto, I., Iucolano, F., Meneghesso, G., Zanoni, E., Meneghini, M.

    المصدر: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2024 IEEE. :1-5 Apr, 2024

    Relation: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Correlating Interface and Border Traps With Distinctive Features of C–V Curves in Vertical Al2O3/GaN MOS Capacitors

    المؤلفون: Zagni, N., Fregolent, M., Verzellesi, G., Marcuzzi, A., De Santi, C., Meneghesso, G., Zanoni, E., Treidel, E.B., Brusaterra, E., Brunner, F., Hilt, O., Meneghini, M., Pavan, P.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(3):1561-1566 Mar, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Review and Outlook on GaN and SiC Power Devices: Industrial State-of-the-Art, Applications, and Perspectives

    المؤلفون: Buffolo, M., Favero, D., Marcuzzi, A., De Santi, C., Meneghesso, G., Zanoni, E., Meneghini, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(3):1344-1355 Mar, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    V-Pits and Trench-Like Defects in High Periodicity MQWs GaN-Based Solar Cells: Extensive Electro-Optical Analysis

    المؤلفون: Nicoletto, M., Caria, A., Rampazzo, F., De Santi, C., Buffolo, M., Rossi, F., Huang, X., Fu, H., Chen, H., Zhao, Y., Gasparotto, A., Becht, C., Schwarz, U.T., Meneghesso, G., Zanoni, E., Meneghini, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(3):2051-2057 Mar, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Microwave and Millimeter-Wave GaN HEMTs: Impact of Epitaxial Structure on Short-Channel Effects, Electron Trapping, and Reliability

    المؤلفون: Zanoni, E., De Santi, C., Gao, Z., Buffolo, M., Fornasier, M., Saro, M., De Pieri, F., Rampazzo, F., Meneghesso, G., Meneghini, M., Zagni, N., Chini, A., Verzellesi, G.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(3):1396-1407 Mar, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء