يعرض 1 - 10 نتائج من 341 نتيجة بحث عن '"Merit hf"', وقت الاستعلام: 1.30s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Improved HF-FOM and SC Ruggedness of Split-Gate 4H-SiC MOSFET With P+ Buffer

    المؤلفون: Chen, Y., Li, C., Wu, Y., Zheng, Z.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 45(7):1269-1272 Jul, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    A New Cell Topology for 4H-SiC Planar Power MOSFETs and Comparison with Hexagonal and Octagonal Cell Topologies

    المؤلفون: Zhu, Shengnan, Liu, Tianshi, Salemi, Arash, Jin, Michael, White, Marvin H., Sheridan, David, Agarwal, Anant K.

    المصدر: 2022 IEEE 9th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA) Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA), 2022 IEEE 9th Workshop on. :7-10 Nov, 2022

    Relation: 2022 IEEE 9th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    A Low-Loss Diode Integrated SiC Trench MOSFET for Improving Switching Performance

    المؤلفون: Ding, J., Deng, X., Li, S., Wu, H., Li, X., Chen, W., Zhang, B.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(11):6249-6254 Nov, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Comparative Study of SiC Planar MOSFETs With Different p-Body Designs

    المؤلفون: Ni, W., Wang, X., Xu, M., Li, M., Feng, C., Xiao, H., Jiang, L., Li, W., Wang, Q.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 67(3):1071-1076 Mar, 2020

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Design and Optimization of 1.2-kV SiC Planar Inversion MOSFET Using Split Dummy Gate Concept for High-Frequency Applications

    المؤلفون: Vudumula, P., Kotamraju, S.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 66(12):5266-5271 Dec, 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Operation of 1.2-kV 4H-SiC Accumulation and Inversion Channel Split-Gate (SG) MOSFETs at Elevated Temperatures

    المؤلفون: Han, K., Baliga, B.J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 65(8):3333-3338 Aug, 2018

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View record in Scopus
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View record in Scopus
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    Effects of JFET Region Design and Gate Oxide Thickness on the Static and Dynamic Performance of 650 V SiC Planar Power MOSFETs

    المؤلفون: Shengnan Zhu, Tianshi Liu, Junchong Fan, Hema Lata Rao Maddi, Marvin H. White, Anant K. Agarwal

    المصدر: Materials; Volume 15; Issue 17; Pages: 5995

    مصطلحات موضوعية: SiC power MOSFET, JFET width, JFET doping concentration, gate oxide thickness, orthogonal P+ layout, gate-drain capacitance, high-frequency figure-of-merit (HF-FOM), General Materials Science

    وصف الملف: application/pdf

    URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2698cf26d8411e6337f84b47b3f52b5b
    https://doi.org/10.3390/ma15175995

    Find this article in full text from ProQuest
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    Beta-blockers for heart failure with reduced, mid-range, and preserved ejection fraction: an individual patient-level analysis of double-blind randomized trials

    المؤلفون: Cleland, J. G. F., Bunting, K. V., Flather, M. D., Altman, D. G., Holmes, J., Coats, A. J. S., Manzano, L., McMurray, J. J. V., Ruschitzka, F., van Veldhuisen, D. J., von Lueder, T. G., Bohm, M., Andersson, Bert, 1952, Kjekshus, J., Packer, M., Rigby, A. S., Rosano, G., Wedel, Hans, Hjalmarson, Åke, 1937, Wikstrand, John, 1938, Kotecha, D.

    المصدر: European Heart Journal. 39(1):26-35

    مصطلحات موضوعية: Cardiac and Cardiovascular Systems, Kardiologi, Heart failure, Ejection fraction, Beta-blockers, Mortality, Sinus rhythm, Atrial fibrillation, cardiac resynchronization therapy, atrial-fibrillation, clinical-trials, merit-hf, carvedilol, echocardiography, metaanalysis, metoprolol, outcomes, intervention, Cardiovascular System & Cardiology

    URL الوصول: https://gup.ub.gu.se/publication/263898

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء