يعرض 1 - 10 نتائج من 6,494 نتيجة بحث عن '"Miura N"', وقت الاستعلام: 1.12s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Analog Techniques for Digital Security: My gratitudes to visionary discussions

    المؤلفون: Nagata, M., Miura, N., Miki, T.

    المصدر: IEEE Solid-State Circuits Magazine IEEE Solid-State Circuits Mag. Solid-State Circuits Magazine, IEEE. 15(1):25-31 Jan, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Demonstration of Fundamental Characteristics for Power Switching Application in Planer Type E-mode MOS-HEMT Using Normally Depleted AlGaN GaN Epitaxial Layer On Si Substrate

    المؤلفون: Nanjo, T., Yamamoto, S., Imazawa, T., Kiyoi, A., Shinagawa, T., Watahiki, T., Miura, N., Furuhashi, M., Nishikawa, K., Egawa, T.

    المصدر: 2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2023 35th International Symposium on. :223-226 May, 2023

    Relation: 2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Categorization of PBTI Mechanisms on 4H-SiC MOSFETs by the Stress Gate Voltage and Channel Plane Orientation

    المؤلفون: Watanabe, T., Fukui, Y., Hino, S., Tomohisa, S., Miura, N., Nishikawa, K.

    المصدر: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability IEEE Trans. Device Mater. Relib. Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on. 23(1):99-108 Mar, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Whole-Body Exposure System Using Horn Antennas With Dielectric Lens at 28 GHz

    المؤلفون: Kodera, S., Miura, N., Diao, Y., Inoue, M., Hikage, T., Taguchi, K., Masuda, H., Hirata, A.

    المصدر: IEEE Journal of Electromagnetics, RF and Microwaves in Medicine and Biology IEEE J. Electromagn. RF Microw. Med. Biol. Electromagnetics, RF and Microwaves in Medicine and Biology, IEEE Journal of. 7(1):65-72 Mar, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    A Fetal-Movement Circuit Harvesting High-Energy Plasma During Fabrication, Concept, and Its Application to Self-Programming PUF

    المؤلفون: Naruse, K., Ueda, T., Shiomi, J., Midoh, Y., Miura, N.

    المصدر: IEEE Solid-State Circuits Letters IEEE Solid-State Circuits Lett. Solid-State Circuits Letters, IEEE. 6:269-272 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Body Potential Control via p-Type Contact Resistance and Its Influence on Switching Characteristics of 4H-SiC MOSFETs

    المؤلفون: Tominaga, T., Iwamatsu, T., Nakao, Y., Amishiro, H., Watanabe, H., Tomohisa, S., Miura, N., Nakata, S.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(1):285-290 Jan, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Physical Attack Protection Techniques for IC Chip Level Hardware Security

    المؤلفون: Nagata, M., Miki, T., Miura, N.

    المصدر: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems IEEE Trans. VLSI Syst. Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, IEEE Transactions on. 30(1):5-14 Jan, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Comparative Study of Hall Effect Mobility in Inversion Layer of 4H-SiC MOSFETs With Nitrided and Phosphorus-Doped Gate Oxides

    المؤلفون: Noguchi, M., Watanabe, T., Watanabe, H., Kita, K., Miura, N.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 68(12):6321-6329 Dec, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    3-D CMOS Chip Stacking for Security ICs Featuring Backside Buried Metal Power Delivery Networks With Distributed Capacitance

    المؤلفون: Monta, K., Sonoda, H., Okidono, T., Araga, Y., Watanabe, N., Shimamoto, H., Kikuchi, K., Miura, N., Miki, T., Nagata, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 68(4):2077-2082 Apr, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    مؤتمر
    Invited: Limiting factors of inversion layer mobility in Si-face 4H-SiC MOSFETs

    المؤلفون: Noguchi, M., Iwamatsu, T., Amishiro, H., Watanabe, H., Miura, N., Kita, K.

    المصدر: 2019 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2019 IEEE International Meeting for Future of. :57-62 Nov, 2019

    Relation: 2019 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء