المؤلفون: Heins, S., Dehem, S., Montedoro, V., Dehez, B., Edwards, M., Stoquart, G., Rocca, F., De Deken, P.-H., Mancas, M., Lejeune, T.

المصدر: 2017 IEEE 5th International Conference on Serious Games and Applications for Health (SeGAH) Serious Games and Applications for Health (SeGAH), 2017 IEEE 5th International Conference on. :1-8 Apr, 2017

Relation: 2017 IEEE 5th International Conference on Serious Games and Applications for Health (SeGAH)

المؤلفون: Montedoro, V., Torres, A., Dadgostar, S., Jimenez, J., Bosi, M., Parisini, A., Fornari, R.

المصدر: In Materials Science & Engineering B February 2021 264

المؤلفون: Fornari, R., Pavesi, M., Montedoro, V., Klimm, D., Mezzadri, F., Cora, I., Pécz, B., Boschi, F., Parisini, A., Baraldi, A., Ferrari, C., Gombia, E., Bosi, M.

المصدر: In Acta Materialia November 2017 140:411-416

المؤلفون: Parisini, A., Bosio, A., Montedoro, V., Gorreri, A., Lamperti, A., Bosi, M., Garulli, G., Vantaggio, S., Fornari, R.

المصدر: APL materials 7 (2019): 031114-1. doi:10.1063/1.5050982
info:cnr-pdr/source/autori:Parisini, A.; Bosio, A.; Montedoro, V.; Gorreri, A.; Lamperti, A.; Bosi, M.; Garulli, G.; Vantaggio, S.; Fornari, R./titolo:Si and Sn doping of epsilon-Ga2O3 layers/doi:10.1063%2F1.5050982/rivista:APL materials/anno:2019/pagina_da:031114-1/pagina_a:/intervallo_pagine:031114-1/volume:7

مصطلحات موضوعية: THERMAL STABILITY

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=cnr_________::ac1f7aa4fb67933a050ffbd60312e22e

المؤلفون: Fornari R., Pavesi M., Montedoro V., Klimm D., Mezzadri F., Cora I., Pecz B., Boschi F., Parisini A., Baraldi A., Ferrari C., Gombia E., Bosi M.

المصدر: Acta materialia 140 (2017): 411–416. doi:10.1016/j.actamat.2017.08.062
info:cnr-pdr/source/autori:Fornari R.; Pavesi M.; Montedoro V.; Klimm D.; Mezzadri F.; Cora I.; Pecz B.; Boschi F.; Parisini A.; Baraldi A.; Ferrari C.; Gombia E.; Bosi M./titolo:Thermal stability of epsilon-Ga2O3 polymorph/doi:10.1016%2Fj.actamat.2017.08.062/rivista:Acta materialia/anno:2017/pagina_da:411/pagina_a:416/intervallo_pagine:411–416/volume:140

مصطلحات موضوعية: gallium oxide, phase transition, semiconductor, polymorphism

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=cnr_________::61a522e3181c28c0825e0f75c283b74b
http://www.cnr.it/prodotto/i/376602

المؤلفون: Parisini, A., Bosio, A., Montedoro, V., Gorreri, A., Lamperti, A., Bosi, M., Garulli, G., Vantaggio, S., Fornari, R.

المصدر: APL Materials; Mar2019, Vol. 7 Issue 3, pN.PAG-N.PAG, 6p

مصطلحات موضوعية: ORGANIC conductors, TIN alloys, LOW temperatures, DOPING agents (Chemistry), SILICON, TIN, GALLIUM compounds

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.