يعرض 1 - 10 نتائج من 241 نتيجة بحث عن '"Ni silicide"', وقت الاستعلام: 0.93s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Effect of Millisecond Annealing Temperature of Ni1-xPtx Si Formation on Leakage Current Characteristics of Static Random- Access Memory Cells

    المؤلفون: Kim, J., Park, T., Lee, S., Kim, C., Hyun, S., Kim, Y., Hwang, K., Kim, H.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 66(1):389-394 Jan, 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Electroless plating, a simple route for Nickel deposition for solar cells

    المؤلفون: Moussi, Abderrahmane, Mahiou, Linda, Mebarki, Mourad, Djelloul, Abdelkader, Meziani, Samir, Noukaz, Abdelkader, Bourai, Kamel

    المصدر: 2015 3rd International Renewable and Sustainable Energy Conference (IRSEC) Renewable and Sustainable Energy Conference (IRSEC), 2015 3rd International. :1-4 Dec, 2015

    Relation: 2015 3rd International Renewable and Sustainable Energy Conference (IRSEC)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Cost-Effective Low $V_{t}$ Ni-FUSI CMOS on SiON by Means of Al Implant (pMOS) and $\hbox{Yb}{+}\hbox{P}$ Coimplant (nMOS)

    المؤلفون: Lauwers, A., Veloso, A., Chang, S.-Z., Yu, H. Y., Hoffmann, T., Kerner, C., Demand, M., Rothschild, A., Niwa, M., Satoru, I., Mitsuhashi, R., Ameen, M., Whittemore, G., Pawlak, M. A., Vrancken, C., Demeurisse, C., Mertens, S., Vandervorst, W., Absil, P., Biesemans, S., Kittl, J. A.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 29(1):34-37 Jan, 2008

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View record in Scopus
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Binary-Synaptic Plasticity in Ambipolar Ni-Silicide Schottky Barrier Poly-Si Thin Film Transistors Using Chitosan Electric Double Layer

    المؤلفون: Ki-Woong Park, Won-Ju Cho

    المصدر: Nanomaterials, Vol 12, Iss 17, p 3063 (2022)

    مصطلحات موضوعية: Ni-silicide, ambipolar channel, polycrystalline silicon, thin-film transistor, artificial synaptic transistor, chitosan electrolyte, Chemistry, QD1-999

    وصف الملف: electronic resource

    Relation: https://www.mdpi.com/2079-4991/12/17/3063; https://doaj.org/toc/2079-4991

    URL الوصول: https://doaj.org/article/eabd05c6e3e14fdaabd1a5f871bc07d6

    Find this article in full text from ProQuest Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Ultrathin Ni Silicides With Low Contact Resistance on Strained and Unstrained Silicon

    المؤلفون: Knoll, L., Zhao, Q. T., Habicht, S., Urban, C., Ghyselen, B., Mantl, S.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 31(4):350-352 Apr, 2010

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    High-Performance Polycrystalline Silicon TFT on the Structure of a Dopant-Segregated Schottky-Barrier Source/Drain

    المؤلفون: Choi, S.-J., Han, J.-W., Kim, S., Moon, D.-I., Jang, M., Choi, Y.-K.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 31(3):228-230 Mar, 2010

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    مؤتمر
    Analysis of Ni silicide abnormal growth mechanism using advanced TEM techniques

    المؤلفون: Kudo, S., Hirose, Y., Hashikawa, N., Yamaguchi, T., Kashihara, K., Maekawa, K., Asai, K., Murata, N., Asayama, K., Murakami, E.

    المصدر: 2008 IEEE International Reliability Physics Symposium Reliability Physics Symposium, 2008. IRPS 2008. IEEE International. :580-583 Apr, 2008

    Relation: 2008 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Vertical n-Channel Poly-Si Thin-Film Transistors With Symmetric S/D Fabricated by Ni-Silicide-Induced Lateral-Crystallization Technology

    المؤلفون: Kuo, P.-Y., Chao, T.-S., Lai, J.-T., Lei, T.-F.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 30(3):237-239 Mar, 2009

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    High-Performance Bidirectional Chemical Sensor Platform Using Double-Gate Ion-Sensitive Field-Effect Transistor with Microwave-Assisted Ni-Silicide Schottky-Barrier Source/Drain

    المؤلفون: Yeong-Ung Kim, Won-Ju Cho

    المصدر: Chemosensors, Vol 10, Iss 4, p 122 (2022)

    مصطلحات موضوعية: Ni-silicide, Schottky-barrier source and drain, ambipolar conductance characteristics, microwave irradiation (MWI), ion-sensitive field-effect transistor (ISFET), capacitive coupling, Biochemistry, QD415-436

    وصف الملف: electronic resource

    Relation: https://www.mdpi.com/2227-9040/10/4/122; https://doaj.org/toc/2227-9040

    URL الوصول: https://doaj.org/article/335f24ec2bef49a998776efdca76a73e

    Find this article in full text from ProQuest Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء