يعرض 1 - 5 نتائج من 5 نتيجة بحث عن '"O'Halloran, Edmond J."', وقت الاستعلام: 0.98s تنقيح النتائج
  1. 1
    تقرير
    First principles analysis of electronic structure evolution and the indirect- to direct-gap transition in Ge$_{1-x}$Pb$_{x}$ group-IV alloys

    المؤلفون: Broderick, Christopher A., O'Halloran, Edmond J., O'Reilly, Eoin P.

    مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Materials Science

    URL الوصول: http://arxiv.org/abs/1911.05679

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    تقرير
    Comparison of first principles and semi-empirical models of the structural and electronic properties of Ge$_{1-x}$Sn$_{x}$ alloys

    المؤلفون: O'Halloran, Edmond J., Broderick, Christopher A., Tanner, Daniel S. P., Schulz, Stefan, O'Reilly, Eoin P.

    مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Materials Science

    URL الوصول: http://arxiv.org/abs/1908.02833

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    مؤتمر
    Multi-Scale Electronic Structure Analysis of Direct-Gap Group-IV Alloys: Implications for Device Applications

    المؤلفون: Broderick, Christopher A., O'Halloran, Edmond J., Kirwan, Amy C., Dunne, Michael D., Tanner, Daniel S. P., Schulz, Stefan, O'Reilly, Eoin P.

    المصدر: 2019 IEEE 16th International Conference on Group IV Photonics (GFP) Group IV Photonics (GFP), 2019 IEEE 16th International Conference on. :1-2 Aug, 2019

    Relation: 2019 IEEE 16th International Conference on Group IV Photonics (GFP)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    مؤتمر
    Comparative analysis of electronic structure evolution in Ge1-xSnx and Ge1−xPbx alloys

    المؤلفون: Broderick, Christopher A., O'Halloran, Edmond J., O'Reilly, Eoin P.

    المصدر: 2019 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD) Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), 2019 International Conference on. :117-118 Jul, 2019

    Relation: 2019 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Comparison of first principles and semi-empirical models of the structural and electronic properties of Ge1-xSnx alloys

    المؤلفون: O’Halloran, Edmond J.Aff1, Aff2, Broderick, Christopher A.Aff1, Aff3, Tanner, Daniel S. P., Schulz, Stefan, O’Reilly, Eoin P.Aff1, Aff3

    المصدر: Optical and Quantum Electronics. 51(9)

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء