-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Pendem, V., Ganguly, S., Saha, D.
المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology IEEE Trans. Nanotechnology Nanotechnology, IEEE Transactions on. 21:36-42 2022
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Rawat, A., Meer, M., Surana, V.k., Bhardwaj, N., Pendem, V., Garigapati, N.S., Yadav, Y., Ganguly, S., Saha, D.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 65(9):3725-3731 Sep, 2018
-
3دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
4
المؤلفون: RAWAT, A, MEER, M, SURANA, VK, BHARDWAJ, N, PENDEM, V, GARIGAPATI, NS, YADAV, Y, GANGULY, S, SAHA, D
المصدر: IndraStra Global.
مصطلحات موضوعية: LEAKAGE CURRENT, gate dielectric, OXIDE, SURFACE PASSIVATION, INSULATED-GATE STRUCTURE, ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS, GaN, ALGAN/GAN, DIELECTRICS, metal-oxide-semiconductor (MOS)-high-electron-mobility transistor (HEMT), HETEROSTRUCTURES, interface, HFO2, FIELD-EFFECT TRANSISTORS
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn23813652::66eb373c56c47c4424915305a49fe1e0
https://igi.indrastra.com/items/show/54169 -
5دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
6دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
7دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
8دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
9دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
10دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.