المؤلفون: Pendem, V., Ganguly, S., Saha, D.

المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology IEEE Trans. Nanotechnology Nanotechnology, IEEE Transactions on. 21:36-42 2022

المؤلفون: Rawat, A., Meer, M., Surana, V.k., Bhardwaj, N., Pendem, V., Garigapati, N.S., Yadav, Y., Ganguly, S., Saha, D.

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 65(9):3725-3731 Sep, 2018

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

المؤلفون: RAWAT, A, MEER, M, SURANA, VK, BHARDWAJ, N, PENDEM, V, GARIGAPATI, NS, YADAV, Y, GANGULY, S, SAHA, D

المصدر: IndraStra Global.

مصطلحات موضوعية: LEAKAGE CURRENT, gate dielectric, OXIDE, SURFACE PASSIVATION, INSULATED-GATE STRUCTURE, ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS, GaN, ALGAN/GAN, DIELECTRICS, metal-oxide-semiconductor (MOS)-high-electron-mobility transistor (HEMT), HETEROSTRUCTURES, interface, HFO2, FIELD-EFFECT TRANSISTORS

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn23813652::66eb373c56c47c4424915305a49fe1e0
https://igi.indrastra.com/items/show/54169

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.