يعرض 1 - 10 نتائج من 55 نتيجة بحث عن '"Pilo, H."', وقت الاستعلام: 1.46s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    A 0.9ns random cycle 36Mb network SRAM with 33mW standby power

    المؤلفون: Pilo, H., Braceras, G., Hall, S., Lamphier, S., Miller, M., Roberts, A., Wistort, R.

    المصدر: 2004 Symposium on VLSI Circuits. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.04CH37525) VLSI circuits VLSI Circuits, 2004. Digest of Technical Papers. 2004 Symposium on. :284-287 2004

    Relation: 2004 Symposium on VLSI Circuits. Digest of Technical Papers

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Bitline contacts in high density SRAMs: design for testability and stressability

    المؤلفون: Pilo, H., Adams, R.D., Busch, R.E., Nelson, E.A., Rudgers, G.E.

    المصدر: Proceedings International Test Conference 2001 (Cat. No.01CH37260) International test conference Test Conference, 2001. Proceedings. International. :776-782 2001

    Relation: Proceedings International Test Conference

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    A 64 Mb SRAM in 32 nm High-k Metal-Gate SOI Technology With 0.7 V Operation Enabled by Stability, Write-Ability and Read-Ability Enhancements

    المؤلفون: Pilo, H., Arsovski, I., Batson, K., Braceras, G., Gabric, J., Houle, R., Lamphier, S., Radens, C., Seferagic, A.

    المصدر: IEEE Journal of Solid-State Circuits IEEE J. Solid-State Circuits Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 47(1):97-106 Jan, 2012

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    مؤتمر
    Design-for-test methods for stand-alone SRAMs at 1 Gb/s/pin and beyond

    المؤلفون: Pilo, H., Hall, S., Hansen, P., Lamphier, S., Murphy, C.

    المصدر: Proceedings International Test Conference 2000 (IEEE Cat. No.00CH37159) International test conference 2000 Test Conference, 2000. Proceedings. International. :436-443 2000

    Relation: Proceedings International Test Conference 2000

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    An 8 Mb SRAM in 45 nm SOI Featuring a Two-Stage Sensing Scheme and Dynamic Power Management

    المؤلفون: Ramadurai, V., Pilo, H., Andersen, J., Braceras, G., Gabric, J., Geise, D., Lamphier, S., Tan, Y.

    المصدر: IEEE Journal of Solid-State Circuits IEEE J. Solid-State Circuits Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 44(1):155-162 Jan, 2009

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    An SRAM Design in 65-nm Technology Node Featuring Read and Write-Assist Circuits to Expand Operating Voltage

    المؤلفون: Pilo, H., Barwin, C., Braceras, G., Browning, C., Lamphier, S., Towler, F.

    المصدر: IEEE Journal of Solid-State Circuits IEEE J. Solid-State Circuits Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 42(4):813-819 Apr, 2007

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    A 5.6-ns random cycle 144-Mb DRAM with 1.4 Gb/s/pin and DDR3-SRAM interface

    المؤلفون: Pilo, H., Anand, D., Barth, J., Burns, S., Corson, P., Covino, J., Lamphier, S.

    المصدر: IEEE Journal of Solid-State Circuits IEEE J. Solid-State Circuits Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 38(11):1974-1980 Nov, 2003

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    An 833-MHz 1.5-W 18-Mb CMOS SRAM with 1.67 Gb/s/pin

    المؤلفون: Pilo, H., Allen, A., Covino, J., Hansen, P.R., Lamphier, S., Murphy, C., Traver, T., Yee, P.

    المصدر: IEEE Journal of Solid-State Circuits IEEE J. Solid-State Circuits Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 35(11):1641-1647 Nov, 2000

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    مؤتمر
    A 300 MHz, 3.3 V 1 Mb SRAM fabricated in a 0.5 /spl mu/m CMOS process

    المؤلفون: Pilo, H., Lamphier, S., Towler, F., Hee, R.

    المصدر: 1996 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of TEchnical Papers, ISSCC Solid-state circuits Solid-State Circuits Conference, 1996. Digest of Technical Papers. 42nd ISSCC., 1996 IEEE International. :148-149 1996

    Relation: 1996 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of TEchnical Papers, ISSCC

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    مؤتمر
    An SRAM Design in 65nm and 45nm Technology Nodes Featuring Read and Write-Assist Circuits to Expand Operating Voltage

    المؤلفون: Pilo, H., Barwin, J., Braceras, G., Browning, C., Burns, S., Gabric, J., Lamphier, S., Miller, M., Roberts, A., Towler, F.

    المصدر: 2006 Symposium on VLSI Circuits, 2006. Digest of Technical Papers. VLSI Circuits, 2006. Digest of Technical Papers. 2006 Symposium on. :15-16 2006

    Relation: 2006 Symposium on VLSI Circuits

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء