-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Yang, H., Pinto, R.M.R., Gonzalez-Losada, P., Faraji, M., Dias, R., Vinayakumar, K.B.
المصدر: IEEE Sensors Journal IEEE Sensors J. Sensors Journal, IEEE. 24(7):9679-9690 Apr, 2024
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Pestana, T.G., Pinto, R.M.R., Dias, R.A., Chu, V., Conde, J.P.
المصدر: Journal of Microelectromechanical Systems J. Microelectromech. Syst. Microelectromechanical Systems, Journal of. 32(6):562-573 Dec, 2023
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Pestana, T.G., Pinto, R.M.R., Dias, R.A., Chu, V., Conde, J.P.
المصدر: Journal of Microelectromechanical Systems J. Microelectromech. Syst. Microelectromechanical Systems, Journal of. 32(1):37-46 Feb, 2023
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Pinto, R.M.R., Gund, V., Dias, R.A., Nagaraja, K.K., Vinayakumar, K.B.
المصدر: Journal of Microelectromechanical Systems J. Microelectromech. Syst. Microelectromechanical Systems, Journal of. 31(4):500-523 Aug, 2022
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Gonzalez-Losada, P., Pinto, R.M.R., Faraji, M., Vinayakumar, K.B.
المصدر: IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation IEEE Trans. Dielect. Electr. Insul. Dielectrics and Electrical Insulation, IEEE Transactions on. 29(3):845-852 Jun, 2022
-
6دورية أكاديمية
المؤلفون: Bras, E.J.S., Pinto, R.M.R., Chu, V., Fernandes, P., Conde, J.P.
المصدر: IEEE Sensors Journal IEEE Sensors J. Sensors Journal, IEEE. 20(23):14007-14015 Dec, 2020
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Pinto, R.M.R., Chu, V., Conde, J.P.
المصدر: IEEE Sensors Journal IEEE Sensors J. Sensors Journal, IEEE. 20(16):9018-9028 Aug, 2020
-
8دورية أكاديمية
المؤلفون: Santos, D.R., Soares, R.R.G., Pinto, I.F., Caneira, C.R.F., Pinto, R.M.R., Chu, V., Conde, J.P.
المصدر: IEEE Sensors Journal IEEE Sensors J. Sensors Journal, IEEE. 19(18):7803-7812 Sep, 2019
-
9دورية أكاديمية
المؤلفون: Pinto, R.M.R., Brito, P., Chu, V., Conde, J.P.
المصدر: Journal of Microelectromechanical Systems J. Microelectromech. Syst. Microelectromechanical Systems, Journal of. 28(3):390-400 Jun, 2019
-
10دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.