يعرض 1 - 10 نتائج من 720 نتيجة بحث عن '"Russo U"', وقت الاستعلام: 0.81s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Crystal structure of chlorodimethyl(2-aimnoethanethiolato)tin(IV), (NH2CH2CH2S)SnCl(CH3)2

    المؤلفون: Couce M. D., Faraglia G., Russo U., Graziani R., Valle G.

    المصدر: Zeitschrift für Kristallographie - New Crystal Structures, Vol 219, Iss 1-4, Pp 205-206 (2004)

    مصطلحات موضوعية: Physics, QC1-999, Crystallography, QD901-999

    وصف الملف: electronic resource

    Relation: https://doaj.org/toc/1433-7266; https://doaj.org/toc/2197-4578

    URL الوصول: https://doaj.org/article/eb332b19e2b4433fa30d8923593d068e

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Crystal structure of chlorodiethyl(2-dimethylaminoethanethiolato) tin(IV), (C2H6NCH2CH2S)SnCl(C2H5)2

    المؤلفون: Couce D., Valle G., Casellato U., Graziani R., Russo U.

    المصدر: Zeitschrift für Kristallographie - New Crystal Structures, Vol 215, Iss 2, Pp 285-286 (2000)

    مصطلحات موضوعية: Physics, QC1-999, Crystallography, QD901-999

    وصف الملف: electronic resource

    Relation: https://doaj.org/toc/1433-7266; https://doaj.org/toc/2197-4578

    URL الوصول: https://doaj.org/article/37fe6177d55241e08c9a5a05359921ce

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Study of Multilevel Programming in Programmable Metallization Cell (PMC) Memory

    المؤلفون: Russo, U., Kamalanathan, D., Ielmini, D., Lacaita, A. L., Kozicki, M. N.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 56(5):1040-1047 May, 2009

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Filament Conduction and Reset Mechanism in NiO-Based Resistive-Switching Memory (RRAM) Devices

    المؤلفون: Russo, U., Ielmini, D., Cagli, C., Lacaita, A. L.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 56(2):186-192 Feb, 2009

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Self-Accelerated Thermal Dissolution Model for Reset Programming in Unipolar Resistive-Switching Memory (RRAM) Devices

    المؤلفون: Russo, U., Ielmini, D., Cagli, C., Lacaita, A. L.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 56(2):193-200 Feb, 2009

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Modeling of Programming and Read Performance in Phase-Change Memories—Part I: Cell Optimization and Scaling

    المؤلفون: Russo, U., Ielmini, D., Redaelli, A., Lacaita, A. L.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 55(2):506-514 Feb, 2008

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Modeling of Programming and Read Performance in Phase-Change Memories—Part II: Program Disturb and Mixed-Scaling Approach

    المؤلفون: Russo, U., Ielmini, D., Redaelli, A., Lacaita, A. L.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 55(2):515-522 Feb, 2008

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Analytical Modeling of Chalcogenide Crystallization for PCM Data-Retention Extrapolation

    المؤلفون: Russo, U., Ielmini, D., Lacaita, A. L.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 54(10):2769-2777 Oct, 2007

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Intrinsic Data Retention in Nanoscaled Phase-Change Memories—Part I: Monte Carlo Model for Crystallization and Percolation

    المؤلفون: Russo, U., Ielmini, D., Redaelli, A., Lacaita, A. L.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 53(12):3032-3039 Dec, 2006

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Intrinsic Data Retention in Nanoscaled Phase-Change Memories—Part II: Statistical Analysis and Prediction of Failure Time

    المؤلفون: Redaelli, A., Ielmini, D., Russo, U., Lacaita, A. L.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 53(12):3040-3046 Dec, 2006

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء