يعرض 1 - 10 نتائج من 49 نتيجة بحث عن '"Ruzzarin, M."', وقت الاستعلام: 1.07s تنقيح النتائج
  1. 1
    تقرير
    Exploration of Gate Trench Module for Vertical GaN devices

    المؤلفون: Ruzzarin, M., Geens, K., Borga, M., Liang, H., You, S., Bakeroot, B., Decoutere, S., De Santi, C., Neviani, A., Meneghini, M., Meneghesso, G., Zanoni, E.

    المصدر: Volume 114, November 2020, 113828

    مصطلحات موضوعية: Physics - Applied Physics

    URL الوصول: http://arxiv.org/abs/2104.00939

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Demonstration of UV-Induced Threshold Voltage Instabilities in Vertical GaN Nanowire Array-Based Transistors

    المؤلفون: Ruzzarin, M., Meneghini, M., de Santi, C., Neviani, A., Yu, F., Strempel, K., Fatahilah, M.F., Witzigmann, B., Wasisto, H.S., Waag, A., Meneghesso, G., Zanoni, E.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 66(5):2119-2124 May, 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Gate Reliability of p-GaN Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

    المؤلفون: Ge, M., Ruzzarin, M., Chen, D., Lu, H., Yu, X., Zhou, J., De Santi, C., Zhang, R., Zheng, Y., Meneghini, M., Meneghesso, G., Zanoni, E.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 40(3):379-382 Mar, 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Degradation Mechanisms of GaN HEMTs With p-Type Gate Under Forward Gate Bias Overstress

    المؤلفون: Ruzzarin, M., Meneghini, M., Barbato, A., Padovan, V., Haeberlen, O., Silvestri, M., Detzel, T., Meneghesso, G., Zanoni, E.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 65(7):2778-2783 Jul, 2018

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Instability of Dynamic- $R_{\text ON}$ and Threshold Voltage in GaN-on-GaN Vertical Field-Effect Transistors

    المؤلفون: Ruzzarin, M., Meneghini, M., Bisi, D., Sun, M., Palacios, T., Meneghesso, G., Zanoni, E.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 64(8):3126-3131 Aug, 2017

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    3D integration technologies for custom SiPM: From BSI to TSV interconnections

    المؤلفون: Parellada-Monreal, L., Acerbi, F., Ficorella, A., Franzoi, A., Gola, A., Merzi, S., Nawaz, A., Ruzzarin, M., Paternoster, G.

    المصدر: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A April 2023 1049

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    مؤتمر
    Degradation of vertical GaN FETs under gate and drain stress

    المؤلفون: Ruzzarin, M., Meneghini, M., De Santi, C., Meneghesso, G., Zanoni, E., Sun, M., Palacios, T.

    المصدر: 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2018 IEEE International. :4B.1-1-4B.1-5 Mar, 2018

    Relation: 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Exploration of gate trench module for vertical GaN devices

    المؤلفون: Ruzzarin, M., Geens, K., Borga, M., Liang, H., You, S., Bakeroot, B., Decoutere, S., De Santi, C., Neviani, A., Meneghini, M., Meneghesso, G., Zanoni, E.

    المصدر: In Microelectronics Reliability November 2020 114

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Characterization of charge trapping mechanisms in GaN vertical Fin FETs under positive gate bias

    المؤلفون: Ruzzarin, M., De Santi, C., Chiocchetta, F., Sun, M., Palacios, T., Zanoni, E., Meneghesso, G., Meneghini, M.

    المصدر: In Microelectronics Reliability September 2019 100-101

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Evidence of Hot-Electron Degradation in GaN-Based MIS-HEMTs Submitted to High Temperature Constant Source Current Stress

    المؤلفون: Ruzzarin, M., Meneghini, M., Rossetto, I., Van Hove, M., Stoffels, S., Wu, T., Decoutere, S., Meneghesso, G., Zanoni, E.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 37(11):1415-1417 Nov, 2016

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء