-
1
المؤلفون: M. Bagatin, S. Gerardin, A. Paccagnella, A. Costantino, V. Ferlet-Cavrois, G. Santin, M. Muschitiello, A. Pesce, S. Beltrami
المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science. 69:1461-1466
مصطلحات موضوعية: Nuclear and High Energy Physics, Monitoring, Loss measurement, Floating gate devices, Detectors, Flash memories, Particle beams, Heavy ion detectors, Nuclear Energy and Engineering, Proton detectors, Three-dimensional displays, Protons, Electrical and Electronic Engineering
-
2
المؤلفون: M. Bagatin, S. Gerardin, A. Paccagnella, G. Santin, A. Costantino, V. Ferlet-Cavrois, M. Muschitiello, S. Beltrami, K. O. Voss, C. Trautmann
المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science. 69:241-247
مصطلحات موضوعية: single event effects (SEEs), High-energy ion beams, Nuclear and High Energy Physics, Nuclear Energy and Engineering, passivated implanted planar silicon (PIPS) diodes, Electrical and Electronic Engineering
-
3دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
4دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
5
المؤلفون: Christian Poivey, Alessandra Costantino, Christopher D. Frost, Simone Gerardin, S. Beltrami, Alessandro Paccagnella, Carlo Cazzaniga, Giovanni Santin, Marta Bagatin, Veronique Ferlet-Cavrois
المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science. 67:154-160
مصطلحات موضوعية: Physics, Nuclear and High Energy Physics, floating gate (FG) devices, business.industry, Monte Carlo method, Detector, NAND gate, Linear energy transfer, Flash memories, Threshold voltage, Non-volatile memory, Optics, Nuclear Energy and Engineering, Angle of incidence (optics), heavy-ion detectors, Neutron, Electrical and Electronic Engineering, business
-
6دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
7دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
8دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
9
المؤلفون: Michele Muschitiello, Alessandra Costantino, Marta Bagatin, S. Beltrami, Simone Gerardin, Alessandro Paccagnella, Ali Zadeh, Veronique Ferlet-Cavrois
المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science. 66:48-53
مصطلحات موضوعية: Physics, Nuclear and High Energy Physics, floating gate (FG) devices, business.industry, Gamma ray, total dose effects, NAND gate, Logic level, Threshold voltage, total ionizing dose (TID), Non-volatile memory, Flash (photography), Nuclear Energy and Engineering, Absorbed dose, flash memories, Bit error rate, Optoelectronics, 3-D NAND, Electrical and Electronic Engineering, Hardware_ARITHMETICANDLOGICSTRUCTURES, business
-
10
المؤلفون: S. Beltrami, Marta Bagatin, Alessandro Paccagnella, Simone Gerardin
مصطلحات موضوعية: Nuclear and High Energy Physics, Materials science, 010308 nuclear & particles physics, business.industry, floating gate devices, NAND gate, total dose effects, Depth dependence, 01 natural sciences, Flash memories, Threshold voltage, total ionizing dose, Non-volatile memory, Flash (photography), Optics, Nuclear Energy and Engineering, Logic gate, Absorbed dose, 0103 physical sciences, sense organs, Electrical and Electronic Engineering, Focus (optics), business, 3-D NAND
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fa07eb93a35061aff545f60222c8a22e
http://hdl.handle.net/11577/3400643