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1دورية أكاديمية
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2
المصدر: Electron Microscopy and Analysis 1997 ISBN: 9781003063056
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c370d53edb876fe03190cb9d1d16662c
https://doi.org/10.1201/9781003063056-86 -
3
المؤلفون: I.N. Antonov, A.I. Belov, C. Bonafos, S. Brivio, Laurent Cario, M. Carrada, Brigitte Caussat, Georgios Ch. Sirakoulis, Dennis Valbjørn Christensen, Elena Cianci, Benoit Corraze, V.A. Demin, P. Dimitrakis, A.V. Emelyanov, Manuel Escudero, Vincenzo Esposito, D.O. Filatov, Georgios Giannopoulos, O.N. Gorshkov, F. Gourbilleau, E.G. Gryaznov, D.V. Guseinov, Michael Hoffmann, Etienne Janod, Andreas Kaidatzis, L. Khomenkhova, D.S. Korolev, M.N. Koryazhkina, Yang Li, Qi Liu, Benjamin Max, A.N. Mikhaylov, Thomas Mikolajick, Halid Mulaosmanovic, Dimitris Niarchos, K.E. Nikiruy, P. Normand, E.V. Okulich, V.I. Okulich, D.A. Pavlov, Nini Pryds, Krishnaswamy Ramkumar, Antonio Rubio, V.V. Rylkov, Simone Sanna, S. Schamm-Chardon, Uwe Schroeder, M.E. Shenina, R.A. Shuisky, K.V. Sidorenko, A. Slaoui, Stefan Slesazeck, B. Spagnolo, Sabina Spiga, E. Talbot, Stefan Tappertzhofen, D.I. Tetelbaum, S.V. Tikhov, Julien Tranchant, Constantin Vahlas, E. Vianello, Ioannis Vourkas, Xiaolong Zhao
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c6c5caf76373ac55685791efd20e3e43
https://doi.org/10.1016/b978-0-12-814629-3.09989-x -
4دورية أكاديمية
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5
المؤلفون: S. Schamm-Chardon, Pierre-Eugène Coulon, S. Baldovino, Marco Fanciulli, Luca Lamagna, Claudia Wiemer
المساهمون: Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Laboratorio MDM (IMM-CNR), Consiglio Nazionale delle Ricerche [Roma] (CNR), STREP 16172: REALISE, European Project: STREP 16172: REALISE,REALISE, Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), National Research Council of Italy | Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Schamm Chardon, S, Coulon, P, Lamagna, L, Wiemer, C, Baldovino, S, Fanciulli, M
المصدر: Microelectronic Engineering
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2011, 88 (4), pp.419-422. ⟨10.1016/j.mee.2010.10.012⟩
Microelectronic Engineering, 2011, 88 (4), pp.419-422. ⟨10.1016/j.mee.2010.10.012⟩
Microelectronic engineering 88 (2011): 419–422.
info:cnr-pdr/source/autori:Schamm-Chardon S, Coulon PE, Lamagna L, Wiemer C, Baldovino S, Fanciulli M/titolo:Combining HRTEM-EELS nano-analysis with capacitance-voltage measurements to evaluate high-kappa thin films deposited on Si and Ge as candidate for future gate dielectrics/doi:/rivista:Microelectronic engineering/anno:2011/pagina_da:419/pagina_a:422/intervallo_pagine:419–422/volume:88مصطلحات موضوعية: Atomic and Molecular Physics, and Optic, Oxide, Analytical chemistry, Surfaces, Coatings and Film, La-doped ZrO2, 02 engineering and technology, Dielectric, Electron energy loss spectroscopy (EELS), 01 natural sciences, Capacitance, chemistry.chemical_compound, Atomic layer deposition, Capacitance-voltage measurement, High-k dielectric stacks on Si and Ge, 0103 physical sciences, Dielectric constant, Electrical measurements, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Electrical and Electronic Engineering, Thin film, High-resolution transmission electron microscopy, High-κ dielectric, [PHYS]Physics [physics], 010302 applied physics, Chemistry, Electronic, Optical and Magnetic Material, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Permittivity, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Erdoped HfO2, Aberration corrected high resolution transmission electron microscopy (HRTEM), 0210 nano-technology, Nanoanalytical electron microscopy
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6
المؤلفون: Corinne Legros, Karolina Galicka-Fau, Magali Brunet, Isabelle Gallet, M. Andrieux, S. Schamm, Michaële Herbst, Emmanuel Scheid
المصدر: Microelectronic Engineering. 86:2034-2037
مصطلحات موضوعية: Permittivity, Materials science, Silicon, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, Dielectric, 01 natural sciences, law.invention, law, 0103 physical sciences, Deep reactive-ion etching, Metalorganic vapour phase epitaxy, Electrical and Electronic Engineering, Thin film, 010302 applied physics, business.industry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Aspect ratio (image), Atomic and Molecular Physics, and Optics, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Capacitor, chemistry, Optoelectronics, 0210 nano-technology, business
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المؤلفون: A. Mouti, Bernd Schmidt, Pascal Normand, S. Schamm, G. Ben Assayag, V. Ioannou-Sougleridis, Panagiotis Dimitrakis, Caroline Bonafos, Jill Becker
المساهمون: National Center for Scientific Research 'Demokritos' ( NCSR ), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales ( CEMES ), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Paul Sabatier - Toulouse 3 ( UPS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Research Center Dresden-Rossendorf, National Center for Scientific Research 'Demokritos' (NCSR), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
المصدر: Microelectronic Engineering
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2009, 86 (7-9), pp.1838-1841. 〈10.1016/j.mee.2009.03.074〉
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2009, 86 (7-9), pp.1838-1841. ⟨10.1016/j.mee.2009.03.074⟩
Microelectronic Engineering, 2009, 86 (7-9), pp.1838-1841. ⟨10.1016/j.mee.2009.03.074⟩مصطلحات موضوعية: Materials science, Ion beam, Annealing (metallurgy), Mineralogy, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Ion, law.invention, law, 0103 physical sciences, Electrical measurements, Electrical and Electronic Engineering, Quantum tunnelling, [PHYS]Physics [physics], 010302 applied physics, [ PHYS ] Physics [physics], business.industry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Capacitor, Nanocrystal, Transmission electron microscopy, Optoelectronics, 0210 nano-technology, business
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8
المؤلفون: Laurence Ressier, Gérard Benassayag, Jérémie Grisolia, Pascal Normand, S. Schamm, Arnaud Arbouet, C. Dumas, Vincent Paillard
المساهمون: Laboratoire de physique et chimie des nano-objets (LPCNO), Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), National Center for Scientific Research 'Demokritos' (NCSR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
المصدر: Microelectronic Engineering
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2008, 85 (12), pp.2358-2361. ⟨10.1016/j.mee.2008.09.027⟩
Microelectronic Engineering, 2008, 85 (12), pp.2358-2361. ⟨10.1016/j.mee.2008.09.027⟩مصطلحات موضوعية: Materials science, Analytical chemistry, 02 engineering and technology, Electron, 01 natural sciences, Condensed Matter::Materials Science, 0103 physical sciences, Microscopy, Thermal, Electrical and Electronic Engineering, [PHYS]Physics [physics], 010302 applied physics, Kelvin probe force microscope, business.industry, Conductive atomic force microscopy, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Ion implantation, Nanocrystal, Optoelectronics, 0210 nano-technology, business, Layer (electronics)
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المؤلفون: Luca Lamagna, L. H. Lu, Dimitra Tsoutsou, S. Schamm, Pierre-Eugène Coulon, Giovanna Scarel, Marco Fanciulli, Shu Miao, Stelios N. Volkos, Claudia Wiemer
المصدر: ECS Transactions. 13:77-88
مصطلحات موضوعية: Materials science, business.industry, Rare earth, Gate stack, Optoelectronics, business
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المؤلفون: G. Ben Assayag, Michele Perego, Panagiotis Dimitrakis, S. Schamm, Nikolay Cherkashin, Marco Fanciulli, Pascal Normand, V. Ioannou-Sougleridis, Caroline Bonafos, V. Em. Vamvakas
المساهمون: National Center for Scientific Research 'Demokritos' (NCSR), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Laboratorio Nazionale MDM CNR-INFM, National Center for Scientific Research 'Demokritos' ( NCSR ), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales ( CEMES ), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Paul Sabatier - Toulouse 3 ( UPS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme ( CEMES-MEM ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Paul Sabatier - Toulouse 3 ( UPS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse)
المصدر: Microelectronic Engineering
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2007, 84 (9-10), pp.1986--1989. ⟨10.1016/j.mee.2007.04.068⟩
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2007, 84 (9-10), pp.1986--1989. 〈10.1016/j.mee.2007.04.068〉
Microelectronic Engineering, 2007, 84 (9-10), pp.1986--1989. ⟨10.1016/j.mee.2007.04.068⟩
Microelectronic engineering 84 (2007): 1986–1989.
info:cnr-pdr/source/autori:Ioannou-Sougleridis, V; Dimitrakis, P; Vamvakas, VE; Normand, P; Bonafos, C; Schamm, S; Cherkashin, N; Ben Assayag, G; Perego, M; Fanciulli, M/titolo:Oxide-nitride-oxide memory stacks formed by low-energy Si ion implantation into nitride and wet oxidation/doi:/rivista:Microelectronic engineering/anno:2007/pagina_da:1986/pagina_a:1989/intervallo_pagine:1986–1989/volume:84مصطلحات موضوعية: [PHYS]Physics [physics], 010302 applied physics, [ PHYS ] Physics [physics], Chemistry, education, Oxide, Analytical chemistry, 02 engineering and technology, Trapping, Nitride, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, 01 natural sciences, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Secondary ion mass spectrometry, chemistry.chemical_compound, Ion implantation, Low energy, Transmission electron microscopy, 0103 physical sciences, Wet oxidation, Electrical and Electronic Engineering, 0210 nano-technology
