يعرض 1 - 10 نتائج من 177 نتيجة بحث عن '"Saks, N.S."', وقت الاستعلام: 1.26s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Hot-hole-induced negative oxide charges in n-MOSFETs

    المؤلفون: Weber, W., Brox, M., Thewes, R., Saks, N.S.

    المصدر: Proceedings of 1994 IEEE International Electron Devices Meeting Electron devices Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International. :311-314 1994

    Relation: Proceedings of 1994 IEEE International Electron Devices Meeting

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Geometric component of charge pumping current in nMOSFETs due to low-temperature irradiation

    المؤلفون: Witczak, S.C., King, E.E., Saks, N.S., Lacoe, R.C., Shaneyfelt, M.R., Hash, G.L., Hjalmarson, H.P., Mayer, D.C.

    المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 49(6):2662-2666 Dec, 2002

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Hot-hole-induced negative oxide charges in n-MOSFETs

    المؤلفون: Weber, W., Brox, M., Thewes, R., Saks, N.S.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 42(8):1473-1480 Aug, 1995

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Radiation effects in oxynitrides grown in N/sub 2/O

    المؤلفون: Saks, N.S., Simons, M., Fleetwood, D.M., Yount, J.T., Lenahan, P.M., Klein, R.B.

    المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 41(6):1854-1863 Dec, 1994

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Effects of post-stress hydrogen annealing on MOS oxides after /sup 60/Co irradiation or Fowler-Nordheim injection

    المؤلفون: Saks, N.S., Klein, R.B., Stahlbush, R.E., Mrstik, B.J., Rendell, R.W.

    المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 40(6):1341-1349 Dec, 1993

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    The time-dependence of post-irradiation interface trap build-up in deuterium-annealed oxides (n-MOSFET)

    المؤلفون: Saks, N.S., Rendell, R.W.

    المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 39(6):2220-2229 Dec, 1992

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Initial hydrogen ion profiles during interface trap formation in MOS devices

    المؤلفون: Brown, D.B., Saks, N.S.

    المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 39(6):2236-2243 Dec, 1992

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Effects of switched gate bias on radiation-induced interface trap formation (MOS transistors)

    المؤلفون: Saks, N.S., Brown, D.B., Rendell, R.W.

    المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 38(6):1130-1139 Dec, 1991

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    A 475-V high-voltage 6H-SiC lateral MOSFET

    المؤلفون: Saks, N.S., Mani, S.S., Agarwal, A.K., Ancona, M.G.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 20(8):431-433 Aug, 1999

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Observation of H/sup +/ motion during interface trap formation

    المؤلفون: Saks, N.S., Brown, D.B.

    المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 37(6):1624-1631 Dec, 1990

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء