-
1تقرير
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Beverly, K. C., Sample, J. L., Sampaio, J. F., Remacle, F., Heath, J. R., Levine, R. D.
المصدر: Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 2002 Apr . 99(9), 6456-6459.
URL الوصول: https://www.jstor.org/stable/3057704
-
3كتاب إلكتروني
المؤلفون: Neves, B. R. A.Aff2, Alves, E. S.Aff2, Sampaio, J. F.Aff2, de Oliveira, A. G.Aff2, Moreira, M. V. B.Aff2, Eaves, L.Aff3
المساهمون: Hess, Karl, editorAff1, Leburton, Jean-Pierre, editorAff1, Ravaioli, Umberto, editorAff1
المصدر: Hot Carriers in Semiconductors. :527-529
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Pfannes, H. -D., Putzka, A., Sampaio, J. F.
المصدر: Hyperfine Interactions. February 1986 28(1-4):785-788
-
5دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
6دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
7دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
8دورية أكاديمية
المؤلفون: de Medeiros, S. M., Guimarães, P. S. S., Sampaio, J. F., de Oliveira, A. G., Moreira, M. V. B.
المصدر: Radiation Effects & Defects in Solids; Oct1998, Vol. 146 Issue 1-4, p113-122, 10p
-
9دورية أكاديمية
المصدر: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1997, Vol. 15 Issue 4, p870-875, 6p
-
10دورية
المؤلفون: Beverly, K. C., Sampaio, J. F., Heath, J. R.
المصدر: The Journal of Physical Chemistry - Part B; March 2002, Vol. 106 Issue: 9 p2131-2135, 5p