يعرض 1 - 10 نتائج من 14 نتيجة بحث عن '"Schad, R. G."', وقت الاستعلام: 1.08s تنقيح النتائج
  1. 1
    كتاب إلكتروني
    Organic Conductors as Electron Beam Resist Materials

    المؤلفون: Tomkiewicz, Y.Aff2, Engler, E. M.Aff2, Kuptsis, J. D.Aff2, Schad, R. G.Aff2, Patel, V. V.Aff2

    المساهمون: Alcácer, Luis, editorAff1

    المصدر: The Physics and Chemistry of Low Dimensional Solids : Proceedings of the NATO Advanced Study Institute held at Tomar, Potugal, August 26 - September 7,1979. 56:413-418

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    كتاب إلكتروني
    Polyacetylene Revisited

    المؤلفون: Tomkiewicz, Y.Aff4, Shiren, N. S.Aff4, Schultz, T. D.Aff4, Mortensen, K.Aff4, Thewalt, M. L. W.Aff4, Kuptsis, J. D.Aff4, Schad, R. G.Aff4, Robinson, B. H.Aff5, Clarke, T. C.Aff6, Street, G. B.Aff6, Thomann, H.Aff7, Dalton, L. R.Aff7, Brom, H. B.Aff8

    المساهمون: Cardona, Manuel, editorAff1, Fulde, Peter, editorAff1, Queisser, Hans-Joachim, editorAff1, Bernasconi, Jakob, editorAff2, Schneider, Toni, editorAff3

    المصدر: Physics in One Dimension : Proceedings of an International Conference Fribourg, Switzerland, August 25–29, 1980. 23:214-217

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Comparison of high vacuum and ultra-high-vacuum tantalum diffusion barrier performance against copper penetration.

    المؤلفون: Clevenger, L. A., Bojarczuk, N. A., Holloway, K., Harper, J. M. E., Cabral, C., Schad, R. G., Cardone, F., Stolt, L.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 1/1/1993, Vol. 73 Issue 1, p300, 9p, 3 Black and White Photographs, 7 Graphs

    مصطلحات موضوعية: THIN films, SOLID state electronics

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Interdiffusion-induced surface morphology in lead-alloy Josephson tunnel junction electrodes.

    المؤلفون: Huang, H.-C. W., Schad, R. G.

    المصدر: Journal of Applied Physics; Jul1983, Vol. 54 Issue 7, p3878-3885, 8p

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Outdiffusion of Be during rapid thermal annealing of high-dose Be-implanted GaAs.

    المؤلفون: Baratte, H., Sadana, D. K., de Souza, J. P., Hallali, P. E., Schad, R. G., Norcott, M., Cardone, F.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 5/15/1990, Vol. 67 Issue 10, p6589, 3p, 1 Chart, 4 Graphs

    مصطلحات موضوعية: DIFFUSION, BERYLLIUM, GALLIUM arsenide, RAPID thermal processing

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Preparation of low resistivity Cu-1 at. %Cr thin films by magnetron sputtering.

    المؤلفون: Cabral, C., Harper, J. M. E., Holloway, K., Smith, D. A., Schad, R. G.

    المصدر: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1992, Vol. 10 Issue 4, p1706-1712, 7p

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Repeated compressive stress increase with 400 °C thermal cycling in tantalum thin films due to increases in the oxygen content.

    المؤلفون: Cabral, C., Clevenger, L. A., Schad, R. G.

    المصدر: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 4, p2818-2821, 4p

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Organic conductors as electron beam resist materials.

    المؤلفون: Tomkiewicz, Y., Engler, E. M., Kuptsis, J. D., Schad, R. G., Patel, V. V., Hatzakis, M.

    المصدر: Applied Physics Letters; 1982, Vol. 40 Issue 1, p90-92, 3p

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    مؤتمر
    Low Au Content Ohmic Contacts to n-GaAs Incorporating Sputtered Tungsten Oxide.

    المؤلفون: Lustig, Naftali, Schad, R. G., Fleischman, A.

    المصدر: MRS Online Proceedings Library; 02/02/1992, Vol. 260, pN.PAG-1, 1p

    Find this article in full text from Springer Verlag.
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    ChemInform Abstract: Preparation of Silicon Nitride with Good Interface Properties by Homogeneous Chemical Vapour Deposition.

    المؤلفون: SCOTT, B. A., MARTINEZ-DUART, J. M., BEACH, D. B., NGUYEN, T. N., ESTES, R. D., SCHAD, R. G.

    المصدر: ChemInform; Dec1990, Vol. 21 Issue 51, pno-no, 1p

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء