-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Alabdullah, M.G.K., Elmessary, M.A., Nagy, D., Seoane, N., Garcia-Loureiro, A.J., Kalna, K.
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 12:479-485 2024
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Lozano, J.F., Seoane, N., Comesana, E., Almonacid, F.M., Fernandez, E.F., Garcia-Loureiro, A.
المصدر: IEEE Access Access, IEEE. 11:84371-84378 2023
-
3دورية أكاديميةMultilevel 3-D Device Simulation Approach Applied to Deeply Scaled Nanowire Field Effect Transistors
المؤلفون: Seoane, N., Kalna, K., Cartoixa, X., Garcia-Loureiro, A.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(9):5276-5282 Sep, 2022
-
4مؤتمر
المؤلفون: Fernandez, J. G., Seoane, N., Comesana, E., Kalna, K., Garcia-Loureiro, A.
المصدر: 2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2021 International Conference on. :201-205 Sep, 2021
Relation: 2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Fernandez, J.G., Seoane, N., Comesana, E., Garcia-Loureiro, A.
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 10:953-959 2022
-
6دورية أكاديمية
المؤلفون: Outes, C., Fernandez, E.F., Seoane, N., Almonacid, F., Garcia-Loureiro, A.J.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 42(12):1882-1885 Dec, 2021
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Seoane, N., Fernandez, J.G., Kalna, K., Comesana, E., Garcia-Loureiro, A.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 42(10):1416-1419 Oct, 2021
-
8دورية أكاديمية
المؤلفون: Ruiz, A., Couso, C., Seoane, N., Porti, M., Garcia-Loureiro, A.J., Nafria, M.
المصدر: IEEE Access Access, IEEE. 9:90568-90576 2021
-
9دورية أكاديمية
المؤلفون: Espineira, G., Garcia-Loureiro, A.J., Seoane, N.
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 9:469-475 2021
-
10دورية أكاديمية
المؤلفون: Nagy, D., Espineira, G., Indalecio, G., Garcia-Loureiro, A.J., Kalna, K., Seoane, N.
المصدر: IEEE Access Access, IEEE. 8:53196-53202 2020