المؤلفون: Harvard, E., Brown, R., Shealy, J. R.

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 58(1):87-94 Jan, 2011

المؤلفون: Shealy, J. R., Wang, J., Brown, R.

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 55(7):1603-1613 Jul, 2008

المؤلفون: Brannick, A., Zakhleniuk, N. A., Ridley, B. K., Shealy, J. R., Schaff, W. J., Eastman, L. F.

المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 30(5):436-438 May, 2009

المؤلفون: Brannick, A.^Aff2, Zakhleniuk, N. A.^Aff2, Ridley, B. K.^Aff2, Eastman, L. F.^Aff3, Shealy, J. R.^Aff3, Schaff, W. J.^Aff3

المساهمون: Grasser, Tibor, editor^Aff1, Selberherr, Siegfried, editor^Aff1

المصدر: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007 : SISPAD 2007. :281-284

المؤلفون: Cha, Ho-Young, Choi, Y. C., Thompson, R. M., Kaper, V., Shealy, J. R., Eastman, L. F., Spencer, M. G.

المصدر: Journal of Electronic Materials. August 2004 33(8):908-911

المؤلفون: Smart, J. A., Chumbes, E. M., Srivatsa, L. N., Lo, Y. H., Shealy, J. R.

المصدر: MRS Online Proceedings Library. 512(1):59-64

المؤلفون: Whittingham, K. L., Emerson, D. T., Shealy, J. R., Matragrano, M. J., Ast, D. G.

المصدر: Journal of Electronic Materials. November 1995 24(11):1611-1615

المؤلفون: Tilak, V., Dimitrov, R., Murphy, M., Green, B., Smart, J., Schaff, W. J., Shealy, J. R., Eastman, L. F.

المصدر: MRS Online Proceedings Library. 622(1)

المؤلفون: Foutz, B. E., Murphy, M. J., Ambacher, O., Tilak, V., Smart, J. A., Shealy, J. R., Schaff, W. J., Eastman, L. F.

المصدر: MRS Online Proceedings Library. 572(1)

المؤلفون: Matulionis, A., Katilius, R., Liberis, J., Ardaravicˇius, L., Eastman, L. F., Shealy, J. R., Smart, J.

المصدر: Journal of Applied Physics; 10/15/2002, Vol. 92 Issue 8, p4490, 8p, 5 Graphs

مصطلحات موضوعية: ELECTRON gas research, HOT carriers, CONDUCTION electrons