يعرض 1 - 10 نتائج من 115 نتيجة بحث عن '"Sheng, T. T."', وقت الاستعلام: 0.95s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Certain Failure Mechanisms in Two-Level Poly-Si Gate Structures - A Transmission Electron Microscopy Study

    المؤلفون: Sinha, A. K., Sheng, T. T., Shankoff, T. A., Lindenberger, W. S., Fuls, E. N., Chang, C. C.

    المصدر: 17th International Reliability Physics Symposium Reliability Physics Symposium, 1979. 17th Annual. :35-38 Apr, 1979

    Relation: 17th International Reliability Physics Symposium

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Electron Microscopy and Failure Analysis

    المؤلفون: Marcus, R. B., Sheng, T. T.

    المصدر: 19th International Reliability Physics Symposium Reliability Physics Symposium, 1981. 19th Annual. :269-275 Apr, 1981

    Relation: 19th International Reliability Physics Symposium

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Two Step O2/N2O Plasma Annealing for the Reduction of Leakage Current in Amorphous Ta2O5 Films

    المؤلفون: Lau, W. S.Aff169, Perera, M. T. Chandima, Han, T., Sandler, N. P., Tung, C. H., Sheng, T. T., Chu, P. K., Chong, T. C.

    المصدر: MRS Online Proceedings Library. 567(1):501-507

    Find this article in full text from Springer Verlag.
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    BF2 implanted polycrystalline silicon gates with and without CoSi2: Microstructure and work functions.

    المؤلفون: Lindenberger, S., Georgiou, G. E., Hillenius, S. J., Luftman, H., Baiocchi, F. A., Sheng, T. T., Field, R. L.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 2/1/1991, Vol. 69 Issue 3, p1510, 8p, 16 Graphs

    مصطلحات موضوعية: MICROSTRUCTURE, SILICON, THIN films

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Shallow junctions by out-diffusion from BF2 implanted polycrystalline silicon.

    المؤلفون: Georgiou, G. E., Sheng, T. T., Kovalchick, J., Lynch, W. T., Malm, D.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 10/1/1990, Vol. 68 Issue 7, p3707, 7p

    مصطلحات موضوعية: SEMICONDUCTOR junctions, DIODES, POLYCRYSTALS, METALLIZING

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Shallow junctions by out-diffusion from Arsenic implanted polycrystalline silicon.

    المؤلفون: Georgiou, G. E., Sheng, T. T., Baiocchi, F. A., Kovalchick, J., Lynch, W. T., Malm, D.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 10/1/1990, Vol. 68 Issue 7, p3714, 9p

    مصطلحات موضوعية: DIODES, SEMICONDUCTOR junctions, ARSENIC, POLYCRYSTALS, METALLIZING

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Self-aligned TiN barrier formation by rapid thermal nitridation of TiSi2 in ammonia.

    المؤلفون: Kamgar, Avid, Baiocchi, F. A., Emerson, A. B., Sheng, T. T., Vasile, M. J., Haynes, Richard W.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 9/15/1989, Vol. 66 Issue 6, p2395, 7p, 1 Chart, 9 Graphs

    مصطلحات موضوعية: AMMONIA, NITRIDING

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Equilibration of nonstoichiometric Ta-Si deposits on polycrystalline silicon at high temperatures.

    المؤلفون: Baiocchi, F. A., Lifshitz, N., Sheng, T. T., Murarka, S. P.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 12/1/1988, Vol. 64 Issue 11, p6490, 6p, 1 Chart, 8 Graphs

    مصطلحات موضوعية: POLYCRYSTALLINE semiconductors, SILICON, TANTALUM

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Formation and thermal stability of CoSi2 on polycrystalline Si.

    المؤلفون: Vaidya, S., Murarka, S. P., Sheng, T. T.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 7/15/1985, Vol. 58 Issue 2, p971, 8p, 3 Black and White Photographs, 2 Charts, 8 Graphs

    مصطلحات موضوعية: SILICON compounds, SILICA, BACKSCATTERING, TRANSMISSION electron microscopy

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Electrical conduction and breakdown in oxides of polycrystalline silicon and their correlation with interface texture.

    المؤلفون: Heimann, P. A., Murarka, S. P., Sheng, T. T.

    المصدر: Journal of Applied Physics; Sep1982, Vol. 53 Issue 9, p6240-6245, 6p

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء