لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

المؤلفون: Kim, B., Macksey, H. M., Tserng, H. Q., Shih, H. D., Camilleri, N.

المصدر: 1986 IEEE GaAs IC Symposium Technical Digest GaAs IC Symposium Technical Digest, 1986 IEEE. :061-063 Oct, 1986

Relation: GaAs IC Symposium Technical Digest

المؤلفون: Yuan, H.-T., Shih, H.-D., Delaney, J., Fuller, C.

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 36(10):2083-2092 Oct, 1989

المؤلفون: Kim, B., Camilleri, N., Shih, H.-D., Tserng, H.Q., Wurtele, M.

المصدر: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques IEEE Trans. Microwave Theory Techn. Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on. 37(9):1327-1333 Sep, 1989

المؤلفون: Robinson, E., D’Souza, A. I., Stapelbroek, M. G., Skokan, M. R., Kinch, M. A., Shih, H. D., Wijewarnasuriya, Priyalal S.

المصدر: Journal of Electronic Materials. August 2009 38(8):1624-1627

المؤلفون: Shih, H.-D., Kim, B., Bradshaw, K., Tserng, H.Q.

المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 9(11):604-606 Nov, 1988

المؤلفون: Chandra, D., Schaake, H. F., Aqariden, F., Teherani, T., Kinch, M. A., Dreiske, P. D., Weirauch, D. F., Shih, H. D.

المصدر: Journal of Electronic Materials. June 2006 35(6):1470-1473

المؤلفون: Chandra, D., Weirauch, D. F., Schaake, H. F., Kinch, M. A., Aqariden, F., Wan, C. F., Shih, H. D.

المصدر: Journal of Electronic Materials. June 2005 34(6):963-967

المؤلفون: Chandra, D., Schaake, H. F., Kinch, M. A., Dreiske, P. D., Teherani, T., Aqariden, F., Weirauch, D. F., Shih, H. D.

المصدر: Journal of Electronic Materials. June 2005 34(6):864-867

المؤلفون: Kinch, M. A., Aqariden, F., Chandra, D., Liao, P-K, Schaake, H. F., Shih, H. D.

المصدر: Journal of Electronic Materials. June 2005 34(6):880-884