-
1دورية أكاديمية
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(7):4173-4179 Jul, 2024
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Jiao, T., Antunez, E., Wong, H.Y.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 44(10):1604-1607 Oct, 2023
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Aleksandrov, P., Rezaei, A., Dutta, T., Xeni, N., Asenov, A., Georgiev, V.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(10):5448-5453 Oct, 2023
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Ansari, M.H.R., Kannan, U.M., El-Atab, N.
المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology IEEE Trans. Nanotechnology Nanotechnology, IEEE Transactions on. 22:409-416 2023
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Han, Y., Sun, J., Richstein, B., Allibert, F., Radu, I., Bae, J., Grutzmacher, D., Knoch, J., Zhao, Q.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 43(8):1187-1190 Aug, 2022
-
6دورية أكاديمية
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(8):4725-4729 Aug, 2022
-
7مؤتمر
المؤلفون: Fakhri, E., Sultan, M. T., Manolescu, A., Ingvarsson, S., Plugaru, N., Plugaru, R., Svavarsson, H. G.
المصدر: 2021 International Semiconductor Conference (CAS) Semiconductor Conference (CAS), 2021 International. :147-150 Oct, 2021
Relation: 2021 International Semiconductor Conference (CAS)
-
8مؤتمر
المصدر: 2019 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2019 International Conference on. :1-4 Sep, 2019
Relation: 2019 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
-
9دورية أكاديمية
المؤلفون: Park, Kyungmin, Nam, Sangsoo, Kim, CheolAff1, IDs12541023008343_cor3
المصدر: International Journal of Precision Engineering and Manufacturing. 24(8):1473-1482
-
10دورية أكاديمية
المصدر: Crystals, Vol 14, Iss 7, p 585 (2024)
مصطلحات موضوعية: Si nanowire, doping, ABINIT, simulation, band structure, Crystallography, QD901-999
وصف الملف: electronic resource