يعرض 1 - 10 نتائج من 806 نتيجة بحث عن '"Si-nanowire"', وقت الاستعلام: 1.07s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Self-Powered Solar-Blind Photodetector With Low Dark Current and Ultrahigh On/Off Ratio Based on Vertically Aligned Si/SiC Nanowire Arrays p-n Heterojunction

    المؤلفون: Li, L., Wei, G., Zhu, P., Wu, X., Su, Y., Wang, P.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(7):4173-4179 Jul, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Study of Cryogenic MOSFET Sub-Threshold Swing Using Ab Initio Calculation

    المؤلفون: Jiao, T., Antunez, E., Wong, H.Y.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 44(10):1604-1607 Oct, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Convolutional Machine Learning Method for Accelerating Nonequilibrium Green’s Function Simulations in Nanosheet Transistor

    المؤلفون: Aleksandrov, P., Rezaei, A., Dutta, T., Xeni, N., Asenov, A., Georgiev, V.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(10):5448-5453 Oct, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Silicon Nanowire Charge Trapping Memory for Energy-Efficient Neuromorphic Computing

    المؤلفون: Ansari, M.H.R., Kannan, U.M., El-Atab, N.

    المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology IEEE Trans. Nanotechnology Nanotechnology, IEEE Transactions on. 22:409-416 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Steep Switching Si Nanowire p-FETs With Dopant Segregated Silicide Source/Drain at Cryogenic Temperature

    المؤلفون: Han, Y., Sun, J., Richstein, B., Allibert, F., Radu, I., Bae, J., Grutzmacher, D., Knoch, J., Zhao, Q.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 43(8):1187-1190 Aug, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Strain Release Enabled Bandgap Scaling in Ge Nanowire and Tunnel FET Application

    المؤلفون: Wang, Z., Lv, Y., Zhang, L., Liao, L., Jiang, C.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(8):4725-4729 Aug, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    مؤتمر
    Synthesis and photoluminescence study of silicon nanowires obtained by metal assisted chemical etching

    المؤلفون: Fakhri, E., Sultan, M. T., Manolescu, A., Ingvarsson, S., Plugaru, N., Plugaru, R., Svavarsson, H. G.

    المصدر: 2021 International Semiconductor Conference (CAS) Semiconductor Conference (CAS), 2021 International. :147-150 Oct, 2021

    Relation: 2021 International Semiconductor Conference (CAS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    مؤتمر
    Effect of Stacking Faults on the Thermoelectric Figure of Merit of Si Nanowires

    المؤلفون: Vuttivorakulchai, Kantawong, Luisier, Mathieu, Schenk, Andreas

    المصدر: 2019 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2019 International Conference on. :1-4 Sep, 2019

    Relation: 2019 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Level-Set Optimization of Si-Nanowires Constituting New LIB Anodes Considering Electrochemical Diffusion and Large Volume Expansion

    المؤلفون: Park, Kyungmin, Nam, Sangsoo, Kim, CheolAff1, IDs12541023008343_cor3

    المصدر: International Journal of Precision Engineering and Manufacturing. 24(8):1473-1482

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Density Functional Investigation of [001] and [111] SiNWs and the Effect of Doping with Boron and Phosphorus

    المؤلفون: Nedhal Ali Mahmood Al-Nuaimi, Florian Hilser, Sibylle Gemming

    المصدر: Crystals, Vol 14, Iss 7, p 585 (2024)

    مصطلحات موضوعية: Si nanowire, doping, ABINIT, simulation, band structure, Crystallography, QD901-999

    وصف الملف: electronic resource

    Relation: https://www.mdpi.com/2073-4352/14/7/585; https://doaj.org/toc/2073-4352

    URL الوصول: https://doaj.org/article/c1a760e4d8ee44c3b7179083189fcf4a

    Find this article in full text from ProQuest Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء