المؤلفون: Hatzikraniotis, E.^Aff3, Mitsas, C. L.^Aff3, Siapkas, D. I.^Aff3

المساهمون: Julien, C., editor^Aff1, Stoynov, Z., editor^Aff2

المصدر: Materials for Lithium-Ion Batteries. 85:529-534

المؤلفون: Nikolić, P. M.^Aff4, Stojanović, B. D.^Aff4, Ðurić, S.^Aff4, Radulović, K.^Aff4, Vasiljević-Radović, D.^Aff4, Blagojević, V.^Aff4, Siapkas, D. I.^Aff4, Zorba, T. T.^Aff5

المساهمون: Stojanović, Biljana D., editor^Aff1, Skorokhod, Valery V., editor^Aff2, Nikolić, Maria Vesna, editor^Aff3

المصدر: Advanced Science and Technology of Sintering. :385-390

المؤلفون: Katsidis, C. C.^Aff2, Siapkas, D. I.^Aff2

المساهمون: Misaelides, P., editor^Aff1

المصدر: Application of Particle and Laser Beams in Materials Technology. 283:603-612

المؤلفون: Hatzikraniotis, E., Terzidis, D., Mitsas, C. L., Siapkas, D. I.

المصدر: Ionics. September 1999 5(5-6):399-404

المؤلفون: Siapkas, D. I., Hatzikraniotis, E., Mitsas, C. L., Terzidis, D., Zorba, T., Moumouzias, G., Papadopoulos, I.

المصدر: MRS Online Proceedings Library. 548(1):65-70

المؤلفون: Zorba, T., Paraskevopoulos, K. M., Siapkas, D. I., Pavlidou, E., Angelova, S., Kushev, D. B.

المصدر: MRS Online Proceedings Library. 712(1)

المؤلفون: Hatzopoulos, N., Siapkas, D. I., Hemment, P. L. F., Skorupa, W.

المصدر: Journal of Applied Physics; 11/1/1996, Vol. 80 Issue 9, p4960, 11p, 2 Diagrams, 2 Charts, 11 Graphs

مصطلحات موضوعية: SILICON, OXYGEN, ION implantation

المؤلفون: Tassis, D. H., Mitsas, C. L., Zorba, T. T., Dimitriadis, C. A., Valassiades, O., Siapkas, D. I., Angelakeris, M., Poulopoulos, P., Flevaris, N. K., Kiriakidis, G.

المصدر: Journal of Applied Physics; 7/15/1996, Vol. 80 Issue 2, p962, 7p, 1 Chart, 7 Graphs

مصطلحات موضوعية: INFRARED spectroscopy, POLYCRYSTALLINE semiconductors, THIN films, IRON, SILICON

المؤلفون: Hatzopoulos, N., Siapkas, D. I., Hemment, P. L. F.

المصدر: Journal of Applied Physics; 1/15/1995, Vol. 77 Issue 2, p577, 10p, 4 Charts, 10 Graphs

مصطلحات موضوعية: SILICON crystals, INFRARED spectroscopy, ION implantation, SILICON

المؤلفون: Hatzopoulos, N., Siapkas, D. I., Hemment, P. L. F., Skorupa, W.

المصدر: J. Appl. Phys. 80 (1996) 4960

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::e5872ab6f9c120a069172b11b3090947
https://www.hzdr.de/publications/Publ-2315-1