يعرض 1 - 10 نتائج من 442 نتيجة بحث عن '"Silicon oxidation"', وقت الاستعلام: 0.95s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Oxidative Damage during the Operation of Si(211)-Based Triboelectric Nanogenerators

    المؤلفون: Carlos Hurtado, Simone Ciampi

    المصدر: Surfaces, Vol 6, Iss 3, Pp 281-290 (2023)

    مصطلحات موضوعية: silicon, triboelectric nanogenerators, Schottky diodes, conductive atomic force microscopy, silicon oxidation, organic monolayers, Physics, QC1-999

    وصف الملف: electronic resource

    Relation: https://www.mdpi.com/2571-9637/6/3/20; https://doaj.org/toc/2571-9637

    URL الوصول: https://doaj.org/article/a63b436ef6604f1b8011a96300bf4147

    Find this article in full text from ProQuest Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    A wet process to fabricate silicon oxide layer for through-silicon-via insulator application

    المؤلفون: Duan, Haoze, Zheng, Shuai, Gao, Liming, Li, Ming

    المصدر: 2018 19th International Conference on Electronic Packaging Technology (ICEPT) Electronic Packaging Technology (ICEPT), 2018 19th International Conference on. :501-505 Aug, 2018

    Relation: 2018 19th International Conference on Electronic Packaging Technology (ICEPT)

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    مؤتمر
    Effects of non-stoichiometry of silicon oxide layers in double barrier structure on high temperature annealing of ultrathin silicon layer

    المؤلفون: Beck, Romuald B., Korb, Pawel

    المصدر: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS) Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on. :168-171 Apr, 2017

    Relation: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View record in Scopus
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Study of SiGe oxidation kinetics for preferential SiO2 formation under a low O2 pressure condition.

    المؤلفون: Woojin Song, Akira Toriumi

    المصدر: Journal of Applied Physics; 11/14/2017, Vol. 122 Issue 18, p1-7, 7p

    مصطلحات موضوعية: SILICON oxidation, ANALYTICAL mechanics, OXIDATION, CHEMICAL reactions, THERMODYNAMICS, OXIDATION kinetics

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    مؤتمر
    Refractive index change in porous silicon after detaching from the substrate

    المؤلفون: Gaber, Noha, Shaarawi, Amr, Khalil, Diaa

    المصدر: Advances in Optoelectronics and Micro/nano-optics Advances in Optoelectronics and Micro/Nano-Optics (AOM), 2010 OSA-IEEE-COS. :1-5 Dec, 2010

    Relation: 2010 OSA-IEEE-COS Advances in Optoelectronics and Micro/Nano-Optics (AOM)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Formation of a gate dielectric of nanometer thickness by rapid thermal treatment

    المؤلفون: N. S. Kovalchuk, A. A. Omelchenko, V. A. Pilipenko, V. A. Solodukha, D. V. Shestovski

    المصدر: Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 19, Iss 4, Pp 103-112 (2021)

    مصطلحات موضوعية: silicon oxidation, silicon oxide thickness, photodissociation, silicon oxide uniformity, direct nitriding, refractive index, nitrogen concentration, Electronics, TK7800-8360

    وصف الملف: electronic resource

    Relation: https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/3114; https://doaj.org/toc/1729-7648

    URL الوصول: https://doaj.org/article/5f2fae87157c4b3daffedd7e94debb3a

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View record in Scopus
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Enhancement of SiO2/ Si(001) interfacial oxidation induced by thermal strain during rapid thermal oxidation.

    المؤلفون: Shuichi Ogawa, Jiayi Tang, Akitaka Yoshigoe, Shinji Ishidzuka, Yuji Takakuwa

    المصدر: Journal of Chemical Physics; 2016, Vol. 145 Issue 11, p1-7, 7p, 6 Graphs

    مصطلحات موضوعية: SILICON oxidation, SILICA, THERMAL strain, THERMAL oxidation (Materials science), METAL inclusions, AUGER electron spectroscopy

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    AFM investigation of effect of absorbed water layer structure on growth mechanism of octadecyltrichlorosilane self-assembled monolayer on oxidized silicon.

    المؤلفون: Shaowei Li, Yanjun Zheng, Changfeng Chen

    المصدر: Journal of Chemical Physics; 2016, Vol. 144 Issue 24, p1-5, 5p, 7 Graphs

    مصطلحات موضوعية: TRICHLOROSILANE, SILICON oxidation, MOLECULAR self-assembly, MONOMOLECULAR films, ATOMIC force microscopy, ABSORPTION

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء