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المؤلفون: Heinzig, André
المساهمون: Mikolajick, Thomas, Weber, Walter M., Kreupl, Franz, Technische Universität Dresden
مصطلحات موضوعية: ddc:621.3, RFET, transistor, reconfigurable, programmable, unipolar, dopant free CMOS technology, universal transistor, nanowire, semiconductor, Schottky barrier, ambipolar, silicon, silicidation, nanoelectronics, novel logic, inverter, reconfigurable NAND/NOR, electron beam lithography, RFET, Transistor, rekonfigurierbar, programmierbar, unipolar, dotierstofffreie CMOS-Technologie, universaler Transistor, Nanowire, Nanodraht, Halbleiter, Schottkybarriere, ambipolar, Silizium, Silizidierung, Nanoelektronik, neuartige Logik, Inverter, rekonfigurierbarer NAND/NOR-Schaltkreis, Elektronenstrahllithographie, RFET, Transistor, rekonfigurierbar, programmierbar, unipolar, dotierstofffreie CMOS-Technologie, universaler Transistor, Nanowire, Nanodraht, Halbleiter, Schottkybarriere, ambipolar, Silizium, Silizidierung, Nanoelektronik, neuartige Logik, Inverter, rekonfigurierbarer NAND/NOR-Schaltkreis, Elektronenstrahllithographie
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4179::93158aa89c384b66598ec346d38860cd
https://tud.qucosa.de/id/qucosa:29458 -
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المؤلفون: Heinzig, André, Heinzi, André
المساهمون: Weber, Walter M., Mikolajick, Thomas, Kreupl, Franz
الإتاحة: http://data.europeana.eu/aggregation/europeana/2048441/item_523R4NG57ZAFAYYIX7T4HXCOW2LBD37I
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3مورد إلكتروني
مصطلحات الفهرس: info:eu-repo/classification/ddc/621.3, ddc:621.3, RFET; Transistor; rekonfigurierbar; programmierbar; unipolar; dotierstofffreie CMOS-Technologie; universaler Transistor; Nanowire; Nanodraht; Halbleiter; Schottkybarriere; ambipolar; Silizium; Silizidierung; Nanoelektronik; neuartige Logik; Inverter; rekonfigurierbarer NAND/NOR-Schaltkreis; Elektronenstrahllithographie, RFET, Transistor, rekonfigurierbar, programmierbar, unipolar, dotierstofffreie CMOS-Technologie, universaler Transistor, Nanowire, Nanodraht, Halbleiter, Schottkybarriere, ambipolar, Silizium, Silizidierung, Nanoelektronik, neuartige Logik, Inverter, rekonfigurierbarer NAND/NOR-Schaltkreis, Elektronenstrahllithographie, RFET, transistor, reconfigurable, programmable, unipolar, dopant free CMOS technology, universal transistor, nanowire, semiconductor, Schottky barrier, ambipolar, silicon, silicidation, nanoelectronics, novel logic, inverter, reconfigurable NAND/NOR, electron beam lithography, doc-type:doctoralThesis, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis, doc-type:Text
URL:
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6مورد إلكتروني
مصطلحات الفهرس: info:eu-repo/classification/ddc/621.3, ddc:621.3, RFET; Transistor; rekonfigurierbar; programmierbar; unipolar; dotierstofffreie CMOS-Technologie; universaler Transistor; Nanowire; Nanodraht; Halbleiter; Schottkybarriere; ambipolar; Silizium; Silizidierung; Nanoelektronik; neuartige Logik; Inverter; rekonfigurierbarer NAND/NOR-Schaltkreis; Elektronenstrahllithographie, RFET, Transistor, rekonfigurierbar, programmierbar, unipolar, dotierstofffreie CMOS-Technologie, universaler Transistor, Nanowire, Nanodraht, Halbleiter, Schottkybarriere, ambipolar, Silizium, Silizidierung, Nanoelektronik, neuartige Logik, Inverter, rekonfigurierbarer NAND/NOR-Schaltkreis, Elektronenstrahllithographie, RFET, transistor, reconfigurable, programmable, unipolar, dopant free CMOS technology, universal transistor, nanowire, semiconductor, Schottky barrier, ambipolar, silicon, silicidation, nanoelectronics, novel logic, inverter, reconfigurable NAND/NOR, electron beam lithography, doc-type:doctoralThesis, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis, doc-type:Text
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