-
1
المؤلفون: N. Gong, M.J. Rasch, S.-C. Seo, A. Gasasira, P. Solomon, V. Bragaglia, S. Consiglio, H. Higuchi, C. Park, K. Brew, P. Jamison, C. Catano, I. Saraf, F.F. Athena, C. Silvestre, X. Liu, B. Khan, N. Jain, S. Mcdermott, R. Johnson, I. Estrada-Raygoza, J. Li, T. Gokmen, N. Li, R. Pujari, F. Carta, H. Miyazoe, M.M. Frank, D. Koty, Q. Yang, R. Clark, K. Tapily, C. Wajda, A. Mosden, J. Shearer, A. Metz, S. Teehan, N. Saulnier, B. J. Offrein, T. Tsunomura, G. Leusink, V. Narayanan, T. Ando
المصدر: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::375f2c4bf182699475cd5c92ecda1320
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019569 -
2
المؤلفون: Chidi Chidambaram, Iuliana Radu, T. Tsunomura, Carlos Mazure, D. McCann, Huiming Bu, Jason C. S. Woo, Dan Mocuta
المصدر: 2017 Symposium on VLSI Technology.
مصطلحات موضوعية: Computer science, business.industry, Transistor, Nanowire, Electrical engineering, Stacking, Short-channel effect, Engineering physics, law.invention, law, Scalability, MOSFET, business, Scaling, Communication channel
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::596adede780e119c52507dd820f54fe4
https://doi.org/10.23919/vlsit.2017.7998218 -
3
المؤلفون: Jeffrey L. Burns, Ted Letavic, H. Hao, T. Tsunomura, S. Nimmagadda, Carlos Mazure, R. Moore, L. Malier, R. Aitken, Julien Ryckaert
المصدر: 2017 Symposium on VLSI Technology.
مصطلحات موضوعية: Very-large-scale integration, Process (engineering), business.industry, Computer science, Electrical engineering, Joint (building), Node (circuits), Electronics, business, Telecommunications, Scaling, Implementation, Panel discussion
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::12d3339c892a37a68729efa69fa04aa0
https://doi.org/10.23919/vlsit.2017.7998219 -
4
المؤلفون: Kiyoshi Takeuchi, T. Tsunomura, S. Kamohara, T. Fukai, T. Hiramoto, A. Nishida, A. T. Putra
المصدر: 2009 International Workshop on Junction Technology.
مصطلحات موضوعية: Imagination, Normalization (statistics), Materials science, Condensed matter physics, media_common.quotation_subject, Transistor, law.invention, Threshold voltage, law, Logic gate, MOSFET, National Electrical Code, Electronic engineering, Field-effect transistor, media_common
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a74c2f1f6b01794e929b6c973ca40ac9
https://doi.org/10.1109/iwjt.2009.5166206 -
5
المؤلفون: Ken Takeuchi, T. Tsunomura, S. Kamohara, Toshiro Hiramoto, A.T. Putra, Akio Nishida
المصدر: 2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices.
مصطلحات موضوعية: Materials science, Silicon, Condensed matter physics, business.industry, Electrical engineering, chemistry.chemical_element, Charge (physics), Threshold voltage, chemistry, Fixed charge, MOSFET, business, Randomness, NMOS logic, Random dopant fluctuation
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::50b79cc69dcb81d0c567640b7a05484e
https://doi.org/10.1109/sispad.2008.4648228 -
6دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
7مؤتمر
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
8مؤتمر
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
9مؤتمر
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
10دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.