يعرض 1 - 10 نتائج من 30 نتيجة بحث عن '"TSCIS"', وقت الاستعلام: 1.22s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Investigation of Endurance Characteristics in 3-D NAND Flash Memory With Trap Profile Analysis

    المؤلفون: Jo, H., Kim, J., Cho, Y., Shim, H., Sim, J., Shin, H.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(3):1852-1857 Mar, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Impact of P/E Stress on Trap Profiles in Bandgap-Engineered Tunneling Oxide of 3D NAND Flash Memory

    المؤلفون: Yoon, G., Ko, D., Park, J., Kim, D., Kim, J., Lee, J.

    المصدر: IEEE Access Access, IEEE. 10:62423-62428 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Impact of P/E Stress on Trap Profiles in Bandgap-Engineered Tunneling Oxide of 3D NAND Flash Memory

    المؤلفون: Gilsang Yoon, Donghyun Ko, Jounghun Park, Donghwi Kim, Jungsik Kim, Jeong-Soo Lee

    المصدر: IEEE Access, Vol 10, Pp 62423-62428 (2022)

    مصطلحات موضوعية: 3D NAND flash memory, bandgap-engineered tunneling, program/erase cycling, trap profile, TSCIS, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971

    وصف الملف: electronic resource

    Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/9794704/; https://doaj.org/toc/2169-3536

    URL الوصول: https://doaj.org/article/88b50f89cd4341b4b8005f5c022f3bcb

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Applying Complementary Trap Characterization Technique to Crystalline $\gamma$-Phase-$\hbox{Al}_{2} \hbox{O}_{3}$ for Improved Understanding of Nonvolatile Memory Operation and Reliability

    المؤلفون: Zahid, M. B., Aguado, D. R., Degraeve, R., Wang, W. C., Govoreanu, B., Toledano-Luque, M., Afanasev, V. V., Van Houdt, J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 57(11):2907-2916 Nov, 2010

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Oxide Trapping in the InGaAs–$\hbox{Al}_{2} \hbox{O}_{3}$ System and the Role of Sulfur in Reducing the $ \hbox{Al}_{2}\hbox{O}_{3}$ Trap Density

    المؤلفون: Alian, A., Brammertz, G., Degraeve, R., Cho, M., Merckling, C., Lin, D., Wang, W.-E., Caymax, M., Meuris, M., De Meyer, K., Heyns, M.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 33(11):1544-1546 Nov, 2012

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Validation of Retention Modeling as a Trap-Profiling Technique for SiN-Based Charge-Trapping Memories

    المؤلفون: Suhane, A., Arreghini, A., Degraeve, R., Van den bosch, G., Breuil, L., Zahid, M. B., Jurczak, M., De Meyer, K., Van Houdt, J.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 31(1):77-79 Jan, 2010

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    مؤتمر
    Defects characterization of Hybrid Floating Gate/Inter-Gate Dielectric interface in Flash memory

    المؤلفون: Zahid, M. B., Degraeve, R., Breuil, L., Blomme, P., Lisoni, J. G., Van den Bosch, G., Van Houdt, J., Tang, B.J.

    المصدر: 2014 IEEE International Reliability Physics Symposium Reliability Physics Symposium, 2014 IEEE International. :2E.3.1-2E.3.6 Jun, 2014

    Relation: 2014 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    مؤتمر
    Trap spectroscopy and Ta penetration induced charge trapping in porous SiOCH low-k dielectrics

    المؤلفون: Li, Yunlong, Wu, Chen, Degraeve, Robin, Croes, Kristof, Barbarin, Yohan, Baklanov, Mikhail R., Tokei, Zsolt

    المصدر: 2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2013 IEEE International. :BD.4.1-BD.4.4 Apr, 2013

    Relation: 2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    مؤتمر
    Instability study of high-κ Inter-Gate Dielectric stacks on hybrid floating gate flash memory

    المؤلفون: Zahid, M.B., Degraeve, R., Breuil, L., Van Den Bosch, G., Van Houdt, J.

    المصدر: 2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2013 IEEE International. :MY.6.1-MY.6.4 Apr, 2013

    Relation: 2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    مؤتمر
    Characterization of hexagonal rare-earth aluminates for application in flash memories

    المؤلفون: Zahid, M.B., Degraeve, R., Toledano-Luque, M., Van Houdt, J.

    المصدر: 2011 International Reliability Physics Symposium Reliability Physics Symposium (IRPS), 2011 IEEE International. :MY.1.1-MY.1.4 Apr, 2011

    Relation: 2011 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء