يعرض 1 - 10 نتائج من 901 نتيجة بحث عن '"TUNNEL field-effect transistors"', وقت الاستعلام: 1.05s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Realizing n-type carbon nanotubes via halide perovskite nanowires Cs4MX5 inner filling.

    المؤلفون: Cao, Sisi, Yang, Qiyao, Cao, Juexian, Xu, Wangping

    المصدر: Journal of Applied Physics; 9/21/2024, Vol. 136 Issue 11, p1-8, 8p

    مصطلحات موضوعية: TUNNEL field-effect transistors, FIELD-effect transistors, ELECTRON donors, CARBON nanotubes, CHARGE transfer, NANOWIRES

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Phonon-assisted charge carriers thermalization in semiconductor Si and metallic silicide NiSi2, CoSi2: A non-adiabatic molecular dynamics study.

    المؤلفون: Luo, Kun, Gan, Weizhuo, Hou, Zhaozhao, Zhan, Guohui, Xu, Lijun, Liu, Jiangtao, Wu, Zhenhua

    المصدر: Journal of Applied Physics; 7/14/2024, Vol. 136 Issue 2, p1-17, 17p

    مصطلحات موضوعية: TUNNEL field-effect transistors, MOLECULAR dynamics, ENERGY levels (Quantum mechanics), ELECTRONIC excitation, THERMAL neutrons, CHARGE carriers, SEMICONDUCTORS

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Source Design of Vertical III–V Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors

    المؤلفون: Rangasamy, G., Zhu, Z., Wernersson, L.

    المصدر: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits IEEE J. Explor. Solid-State Comput. Devices Circuits Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, IEEE Journal on. 10:8-12 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Transport Properties of 5-nm Tunnel Field-Effect Transistor for High-Performance Switches Decorated With Blue Phosphorene and Transition Metals

    المؤلفون: Huang, X., Liu, Q., Xie, H., Deng, X., Fan, Z., Wu, D., Chen, K.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(10):5462-5468 Oct, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    A new stacked gate oxide L-shaped tunnel field effect transistor

    المؤلفون: Eyvazi, KavehAff1, Aff2, Yaghoubi, Hamid Reza, Karami, Mohammad AzimAff1, IDs10825024021834_cor3

    المصدر: Journal of Computational Electronics. 23(4):740-750

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    مؤتمر
    Tunnel FET and bilayer Van der waal (vdW) source tunnel FET, A comparative study.

    المؤلفون: Biswas, Maitreyee, Dey, Anup

    المصدر: AIP Conference Proceedings; 2024, Vol. 3149 Issue 1, p1-7, 7p

    مصطلحات موضوعية: FIELD-effect transistors, TUNNEL field-effect transistors, VERY large scale circuit integration, METAL oxide semiconductor field-effect transistors, DOPING agents (Chemistry)

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Performance Boost of Si TFETs by Insertion of III–V Dipole Formation Layer: A First Principle Study

    المؤلفون: Lim, Y., Seo, J., Shin, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(6):2956-2961 Jun, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Stacking order, charge doping, and strain-induced switching between AFM and FM in bilayer GdI2.

    المؤلفون: Li, Shujing, Hou, Yuefei, Zhou, Mei, Li, Menglei, Zheng, Fawei, Shao, Xiaohong, Zhang, Ping

    المصدر: Journal of Applied Physics; 9/28/2023, Vol. 134 Issue 12, p1-9, 9p

    مصطلحات موضوعية: TUNNEL field-effect transistors, FIELD-effect devices, CUPRATES, PHASE shift (Nuclear physics)

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    FS-iTFET: advancing tunnel FET technology with Schottky-inductive source and GAA design.

    المؤلفون: Lin, Jyi-Tsong, Tai, Wei-Heng

    المصدر: Discover Nano; 9/4/2024, p1-20, 20p

    مصطلحات موضوعية: TUNNEL field-effect transistors, FIELD-effect devices, SCHOTTKY barrier, TUNNEL lining, ELECTRIC fields

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Design and Performance Analysis of Gate Overlap Dual Material Tunnel Field Effect Transistor.

    المؤلفون: Buttol, S., Balaji, B.

    المصدر: International Journal of Engineering Transactions B: Applications; Sep2024, Vol. 37 Issue 9, p1773-1779, 7p

    مصطلحات موضوعية: TUNNEL field-effect transistors, NANOELECTROMECHANICAL systems, BIOMOLECULES, ELECTRIC fields, SURFACE potential

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء