يعرض 1 - 10 نتائج من 10 نتيجة بحث عن '"Temper, E. M."', وقت الاستعلام: 1.17s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    The ALD Films of Al2O3, SiNx, and SiON as Passivation Coatings in AlGaN/GaN HEMT

    المؤلفون: Enisherlova, K. L.Aff1, Temper, E. M., Kolkovsky, Yu. V., Medvedev, B. K., Kapilin, S. A.

    المصدر: Russian Microelectronics. 49(8):603-611

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    The Effect of Technological Factors on the Characteristics of Ohmic Contacts of the Power AlGaN/GaN/SiC-HEMT

    المؤلفون: Enisherlova, K. L.Aff1, Medvedev, B. K., Temper, E. M., Korneev, V. I.

    المصدر: Russian Microelectronics. 48(8):564-575

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Estimating the Crystallographic Structure of AlGaN/GaN Heterostructure Buffer Layers Using Symmetric and Asymmetric X-ray Schemes

    المؤلفون: Lutzau, A. V., Temper, E. M., Enisherlova, K. L.Aff1

    المصدر: Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 13(4):578-585

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    The Effect of Defects with Deep Levels on the C–V Characteristics of High-Power AlGaN/GaN/SiC HEMTs

    المؤلفون: Enisherlova, K. L.Aff1, Kolkovskii, Yu. V., Bobrova, E. A., Temper, E. M., Kapilin, S. A.

    المصدر: Russian Microelectronics. 48(1):28-36

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Influence of the silicon layer’s properties on the capacitance parameters of MIS/SOS structures

    المؤلفون: Enisherlova, K. L., Goryachev, V. G., Temper, E. M., Kapilin, S. A.

    المصدر: Russian Microelectronics. December 2015 44(8):537-545

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Study of heterostructures according to single-crystal X-ray diffractometry

    المؤلفون: Lyutsau, A. V., Krymko, M. M., Enisherlova, K. L., Temper, E. M., Razgulyaev, I. I.

    المصدر: Russian Microelectronics. December 2013 42(8):517-524

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    The effect of thermal-neutron radiation on the decomposition of an oxygen solid solution in silicon

    المؤلفون: Enisherlova, K. L., Bublik, V. T., Shcherbachev, K. D., Voronova, M. I., Temper, E. M.

    المصدر: Russian Microelectronics. December 2011 40(8):641-648

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    مؤتمر
    AlxGa(1-x)N/GaN structure diagnostic by C-V characteristics method.

    المؤلفون: Enisherlova, K. L., Gulyaev, I. B., Goryachev, V. G., Dorofeev, A. U., Temper, E. M., Gladisheva, N. B.

    المصدر: Proceedings of SPIE; Nov2008, Issue 1, p702514-702514-8, 8p

    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    مؤتمر
    The spatial features AlxGa1-xN/GaN heterostructure.

    المؤلفون: Enisherlova, Kira L., Immamov, Rafik M., Subbotin, I. M., Rusak, T. F., Temper, E. M.

    المصدر: Proceedings of SPIE; Nov2008, Issue 1, p702518-702518-8, 8p

    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية
    Behavior of oxygen and nitrogen upon simultaneous substoichiometric implantation into silicon

    المؤلفون: Borun, A. F., Danilin, A. B., Mordkovich, V. N., Temper, E. M.

    المصدر: Radiation Effects and Defects in Solids; August 1988, Vol. 107 Issue: 1 p9-13, 5p

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء