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1مؤتمر
المؤلفون: Elahipanah, H., Thierry-Jebali, N., Reshanov, S. A., Kaplan, W., Zhang, A., Lim, J.-K., Bakowski, M., Ostling, M., Schoner, A.
المصدر: 2016 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM) Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM), European Conference on. :1-1 Sep, 2016
Relation: 2016 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM)
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2دورية أكاديمية
المؤلفون: Vo-Ha, A., Carole, D., Lazar, M., Tournier, D., Cauwet, F., Soulière, V., Thierry-Jebali, N., Brosselard, P., Planson, D., Brylinski, C., Ferro, G.
المصدر: In Thin Solid Films 2 December 2013 548:125-129
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3دورية أكاديمية
المؤلفون: Carole, D., Vo-Ha, A., Lazar, M., Thierry-Jebali, N., Tournier, D., Brosselard, P., Thomas, A., Soulière, V., Ferro, G.
المصدر: MRS Online Proceedings Library. 1433(1):95-100
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المؤلفون: Elahipanah, H., Thierry-Jebali, N., Reshanov, S. A., Kaplan, W., Zhang, A., Lim, Jang-Kwon, Bakowski, Mietek, Östling, M., Schöner, A.
المصدر: 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2016. :455-458
مصطلحات موضوعية: Buried grid, High temperature, High voltage, Junction barrier Schottky (JBS), Silicon carbide (SiC), High temperature applications, High temperature operations, Rectifying circuits, Schottky barrier diodes, Semiconductor junctions, Silicon, Silicon carbide, Silicon wafers, Junction Barrier Schottky, Silicon carbides (SiC), Power semiconductor diodes
وصف الملف: print
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5
المؤلفون: Thierry-Jebali, N., Lazar, M., Vo-Ha, A., Carole, D., Souliere, V., Henry, Anne, Planson, D., Ferro, G., Konczewicz, L., Contreras, S., Brylinski, C., Brosselard, P.
المصدر: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 Materials Science Forum. :639-644
مصطلحات موضوعية: Ohmic contact, P-type 4H-SiC, PiN diode, Selective epitaxial growth, Vapor-liquid-solid
وصف الملف: print
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6
المؤلفون: Thierry-Jebali, N., Vo-Ha, A., Carole, D., Lazar, M., Ferro, G., Planson, D., Henry, Anne, Brosselard, P.
المصدر: Applied Physics Letters. 102(21):212108
مصطلحات موضوعية: TECHNOLOGY, TEKNIKVETENSKAP
وصف الملف: electronic
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7
المؤلفون: Souguir-Aouani, A, Thierry-Jebali, N., Tournier, D, Yvon, A, Collard, E, Planson, Dominique
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), STMicroelectronics [Tours] (ST-TOURS), Planson, Dominique
المصدر: Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015
ICSCRM 2015
ICSCRM 2015, Oct 2015, Giardini Naxos, Italy. pp.Mo-P-44مصطلحات موضوعية: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
وصف الملف: application/pdf
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::116b7a5e2e23ebf7e9e6843302fbaaf3
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02138522 -
8
المؤلفون: Thierry-Jebali, N, Lazar, Mihai, Vo-Ha, A, Carole, D, Soulière, V, Henry, A, Planson, Dominique, Ferro, G, Brosselard, P, Regula, G, Brylinski, C
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces (LMI), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Linköping University (LIU), Laboratoire de microéconomie (LMI), Centre de Recherche en Économie et STatistique (CREST), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
المصدر: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM 2013
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM 2013, Sep 2013, Miyazaki, Japanمصطلحات موضوعية: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3430::8375cafe31d3eaef57c8269897d9c4c7
https://hal.science/hal-04011693/file/ICSCRM_2013.pdf -
9دورية أكاديمية
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10دورية أكاديمية
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